2SC1959 Datasheet, PDF (1/1 Pages) Toshiba Semiconductor – TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY LOW POWER, DRIVER STAGE AMPLIFIER SWITCHING APPLICATIONS)

2SC1959(3DG1959)
RoHS
2SC1959
硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:用于音频小功率放大,激励级放大及开关电路。/Purpose: Audio frequency power amplifier,
driver stage amplifier and switching applications.
特征:极好的 h_FE 特性,可得 1W 输出,与 2SA562TM(3CG562TM)互补/Features: Excellent hFE linearity
1 Watt output amplifier applications, complementary pair with 2SA562TM(3CG562TM).
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号
数值
单位
Symbol
Rating
Unit
V_CBO
35
V
V_CEO
30
V
V_EBO
5.0
V
I_C
500
mA
I_E
-500
mA
P_C
500
mW
T_j
150
℃
T_stg
-55～150 ℃
电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃)
参数符号
Symbol
测试条件
Test condition
I_CBO
I_EBO
h_FE(1)
h_FE(2)
V_CE(sat)
V_BE
f_T
C_ob
V_CB=35V
V_EB=5.0V
V_CE=1.0V
V_CE=6.0V
I_C=100mA
V_CE=1.0V
V_CE=6.0V
V_CB=6.0V
I_E=0
I_C=0
I_C=100mA
I_C=400mA
I_B=10mA
I_C=100mA
I_C=20mA
I_E=0 f=1.0MHz
最小值
Min
70
25
数值
Rating
典型值
Typ
0.1
0.8
300
7.0
最大值
Max
0.1
0.1
400
0.25
1.0
单位
Unit
μA
μA
V
V
MHz
pF
h 分档 _FE(1)
/hFE(1)
classifications:
O:70～140
Y:120～240
GR:200-400
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