9013 Datasheet, PDF (1/1 Pages) Wing Shing Computer Components – NPN SILICON TRANSISTOR

9013
NPN SILICON TRANSISTOR
FEATURES
特
征
Power dissipation
P_CM : 0.625
Collector current
I_CM : 0.5
Collector-base voltage
V_(BR)CBO : 45
最大耗散功率
W Tamb=25
最大集电极电流
A
集电极--基极击穿电压
V
TO 92
1.EMITTER
发射极
2.BASE
基极
3.COLLECTOR
集电极
123
ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tamb=25
电
特
性
环境温度
unless otherwise specified
除非另有规定
Parameter
参数
Symbol
符号
Test conditions
测试条件
MIN
最小值
TYP
典型值
Collector-base breakdown voltage
集电极--基极击穿电压
V(BR)_CBO
Ic= 100 A I_E=0
45
Collector-emitter breakdown voltage
集电极--发射极击穿电压
V(BR)_CEO
Ic= 0. 1 mA I_B=0
25
Emitter-base breakdown voltage
发射极--基极击穿电压
V(BR)_EBO
I_E= 100 A I_C=0
5
Collector cut-off current
集电极--基极截止电流
I_CBO
V_CB= 40 V I_E=0
Collector cut-off current
集电极--发射极截止电流
I_CEO
V_CE= 20 V I_B=0
Emitter cut-off current
发射极--基极截止电流
I_EBO
V_EB= 5 V I_C=0
MAX
最大值
0.1
0.1
0.1
UNIT
单位
V
V
V
A
A
A
DC current gain(note)
直流电流增益
Collector-emitter saturation voltage
集电极--发射极饱和压降
Base-emitter saturation voltage
基极--发射极饱和压降
Base-emitter voltage
基极--发射极正向电压
H_{FE 1}
H_{FE 2}
V_CE(sat)
V_BE(sat)
V_BE
V_CE= 1 V, I_C= 50 mA
64
V_CE= 1V, I_C =500 mA
40
I_C= 500 mA, I_B=50 mA
I_C= 500mA, I_B= 50 mA
I_E=100mA
300
0.6
V
1.2
V
1.4
V
Transition frequency
特征频率
V_CE= 6 V, I_C= 20 mA
f_T
150
f =30MHz
MHz
CLASSIFICATION OF H_FE(1)
Rank
档次
D
Range
范围
64-91
分类
E
78-112
F
96-135
G
112-166
H
144-220
I
190-300
Wing Shing Computer Components Co., (H.K.)Ltd.
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