V23990-P704-F-01-14 Datasheet, PDF (2/11 Pages) Vincotech – flow 90PACK 1 600V/ 30A

flow 90PACK 1 600V/ 30A
Characteristic values/ Charateristische Werte
Description
V23990-P704-F-PM
Symbol Conditions
T(C°)
Other conditions
(Rgon-Rgoff)
final data sheet
V23990-P704-F-01-14
Datasheet values
Unit
VR(V) IC(A)
VGE(V) VCE(V) IF(A)
VGS(V) VDS(V) Id(A) Min Typ Max
Transistor Inverter
Transistor Wechselrichter
Gate emitter threshold voltage
Gate-Schwellenspannung
Collector-emitter saturation voltage
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
Collector-emitter cut-off
Kollektor-Emitter Reststrom
Gate-emitter leakage current
Gate-Emitter Reststrom
Integrated Gate resistor
Integrirter Gate Widerstand
Turn-on delay time
Einschaltverzögerungszeit
Rise time
Anstiegszeit
Turn-off delay time
Abschaltverzögerungszeit
Fall time
Fallzeit
Turn-on energy loss per pulse
Einschaltverlustenergie pro Puls
Turn-off energy loss per pulse
Abschaltverlustenergie pro Puls
Input capacitance
Eingangskapazität
Output capacitance
Ausgangskapazität
Reverse transfer capacitance
Rückwirkungskapazität
Gate charge
Gate Ladung
Thermal resistance chip to heatsink per chip
Wärmewiderstand Chip-Kühlkörper pro Chip
Thermal resistance chip to case per chip
Wärmewiderstand Chip-Gehause pro Chip
Coupled thermal resistance inverter diode-transistor
Gekoppelte Wärmewiderstand Wechselrichter Diode-Transistor
Coupled thermal resistance inverter transistor-transistor
Gekoppelte Wärmewiderstand Wechselrichter Transistor-Transistor
V_GE(th) Tj=25°C
Tj=150°C
V_CE(sat) Tj=25°C
Tj=125°C
I_CES Tj=25°C
Tj=150°C
I_GES Tj=25°C
Tj=150°C
R_gint
t_d(on) Tj=25°C
Tj=125°C
t_r Tj=25°C
Tj=125°C
t_d(off) Tj=25°C
Tj=125°C
t_f Tj=25°C
Tj=125°C
E_on Tj=25°C
Tj=125°C
E_off Tj=25°C
Tj=125°C
C_ies Tj=25°C
C_oss Tj=25°C
C_rss Tj=25°C
Q_Gate Tj=25°C
RthJH
R_thJC
RthJH
RthJH
VCE=VGE
430u
15
30
0
600
20
0
Rgoff=16 ȍ
Rgon=16 ȍ
Rgoff=16 ȍ
Rgon=16 ȍ
Rgoff=16 ȍ
Rgon=16 ȍ
Rgoff=16 ȍ
Rgon=16 ȍ
Rgoff=16 ȍ
Rgon=16 ȍ
Rgoff=16 ȍ
Rgon=16 ȍ
f=1MHz
f=1MHz
f=1MHz
±15 300
30
±15 300
30
±15 300
30
±15 300
30
±15 300
30
±15 300
30
0
25
0
25
0
25
Thermal grease
thickness”50um
Warmeleitpaste
Dicke”50um Ȝ = 0,61 W/mK
5
5,8
6,5
V
1,54 2,1
V
1,71
0,2
mA
350
nA
none
Ohm
95
18,7
158,5
83,2
0,4958
0,8233
1,63
ns
ns
ns
ns
mWs
mWs
nF
0,1
nF
0,05
nF
nC
1,99
K/W
K/W
tbd
K/W
tbd
K/W
Diode Inverter
Diode Wechselrichter
Diode forward voltage
Durchlaßspannung
Peak reverse recovery current
Rückstromspitze
Reverse recovery time
Sperreverzögerungszeit
Reverse recovered charge
Sperrverzögerungsladung
Reverse recovered energy
Sperrverzögerungsenergie
Thermal resistance chip to heatsink per chip
Wärmewiderstand Chip-Kühlkörper pro Chip
Thermal resistance chip to case per chip
Wärmewiderstand Chip-Gehause pro Chip
Coupled thermal resistance inverter transistor-diode
Gekoppelte Wärmewiderstand Wechselrichter Transistor-Diode
Coupled thermal resistance inverter diode-diode
Gekoppelte Wärmewiderstand Wechselrichter Diode-Diode
V_F Tj=25°C
300
30
Tj=125°C
I_RM Tj=25°C
Rgoff=16 ȍ
Tj=125°C
Rgon=16 ȍ
±15 300
30
t_rr Tj=25°C
Tj=125°C
Rgoff=16 ȍ
Rgon=16 ȍ
±15 300
30
Q_rr Tj=25°C
Rgoff=16 ȍ
Tj=125°C
Rgon=16 ȍ
±15 300
30
Erec Tj=25°C
Rgoff=16 ȍ
Tj=125°C
Rgon=16 ȍ
±15 300
30
RthJH
Thermal grease
thickness”50um
R_thJC
Warmeleitpaste
Dicke”50um Ȝ = 0,61 W/mK
RthJH
RthJH
1,47 2,2
1,44
41,24
155,7
2,3044
0,5087
2,61
V
A
ns
uC
mWs
K/W
K/W
K/W
K/W
Copyright by Vincotech
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Revision: 1