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V23990-P729-F56-01-14 Datasheet, PDF (1/12 Pages) Vincotech – Maximum Ratings / Höchstzulässige Werte
V23990-P729-F56-PM
final data sheet
fastPACK 0 H 2nd gen
Maximum Ratings / Höchstzulässige Werte
Parameter
Condition
V23990-P729-F56-01-14
P729-F56 1200V/25A
Symbol
Datasheet values
Unit
max.
DC link Capacitor
DC link Kondensator
Max.DC voltage
Max. Gleichspannung
TC=25°C UMAX
1000
V
Transistor H-bridge(IGBT)
Transistor H-Brücke(IGBT)
Collector-emitter break down voltage
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
VCE
1200
V
DC collector current
Kollektor-Dauergleichstrom
Tj=Tjmax Th=80°C, IC
Tc=80°C
38
A
Repetitive peak collector current
tp limited by Tj max
Icpuls
75
A
Periodischer Kollektorspitzenstrom
Power dissipation per IGBT
Tj=Tjmax Th=80°C
Ptot
129
W
Verlustleistung pro IGBT
Tc=80°C
Gate-emitter peak voltage
Gate-Emitter-Spitzenspannung
VGE
±20
V
SC withstand time*
Kurzschlußverhalten*
max. Chip temperature
max. Chiptemperatur
Tj=Tjmax VGE=15V tSC
10
us
VCC=360V
Tjmax
150
°C
Diode H-bridge
Diode H-Brücke
DC forward current
Dauergleichstrom
Tj=Tjmax Th=80°C, IF
Tc=80°C
25
A
Repetitive peak forward current
tp limited by Tj max
IFRM
50
A
Periodischer Spitzenstrom
Power dissipation per Diode
Tj=Tjmax Th=80°C
Ptot
56
W
Verlustleistung pro Diode
Tc=80°C
max. Chip temperature
max. Chiptemperatur
Tjmax
150
°C
Thermal properties
Thermische Eigenschaften
Storage temperature
Lagertemperatur
Operation temperature
Betriebstemperatur
Tstg
-40…+125
Top
-40…+125
Copyright by Vincotech
1
Revision: 1