V23990-P723-F04-D1-14 Datasheet, PDF (1/12 Pages) Vincotech – Maximum Ratings / Höchstzulässige Werte

V23990-P723-F04-PM
final data sheet
fastPACK0 H 2nd gen
Maximum Ratings / Höchstzulässige Werte
Parameter
Condition
Symbol
V23990-P723-F04-01-14
P723-F04 600V/60A
Datasheet values
Unit
max.
DC link Capacitor
DC link Kondensator
Max.DC voltage
Max. Gleichspannung
TC=25°C UMAX
500
V
Transistor H-bridge(IGBT)
Transistor H-Brücke(IGBT)
Collector-emitter break down voltage
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
V_CE
600
V
DC collector current
Kollektor-Dauergleichstrom
Tj=Tjmax Th=80°C, I_C
Tc=80°C
35
A
Repetitive peak collector current
tp limited by Tj max
I_cpuls
224
A
Periodischer Kollektorspitzenstrom
Power dissipation per IGBT
Tj=Tjmax Th=80°C
P_tot
93
W
Verlustleistung pro IGBT
Tc=80°C
Gate-emitter peak voltage
Gate-Emitter-Spitzenspannung
V_GE
±20
V
SC withstand time*
Kurzschlußverhalten*
max. Chip temperature
max. Chiptemperatur
Tj=Tjmax VGE=15V t_SC
6
us
VCC=360V
T_jmax
150
°C
Diode H-bridge
Diode H-Brücke
DC forward current
Dauergleichstrom
Tj=Tjmax Th=80°C,
I_F
Tc=80°C
34
A
Repetitive peak forward current
tp limited by Tj max
I_FRM
150
A
Periodischer Spitzenstrom
Power dissipation per Diode
Tj=Tjmax Th=80°C
P_tot
47
W
Verlustleistung pro Diode
Tc=80°C
max. Chip temperature
max. Chiptemperatur
T_jmax
150
°C
Copyright by Vincotech
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Revision: 1