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V23990-P633-A-P1-14 Datasheet, PDF (1/18 Pages) Vincotech – IGBT FRED
V23990-P633-A-PM
flow 90PIM 1 600V/15A
Maximum Ratings / Höchstzulässige Werte
Parameter
Condition
Symbol
Input Rectifier Bridge
Gleichrichter
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
Forward current per diode
Dauergrenzstrom
Surge forward current
Stoßstrom Grenzwert
I2t-value
Grenzlastintegral
Power dissipation per Diode
Verlustleistung pro Diode
max. Chip temperature
max. Chiptemperatur
Transistor Inverter
Transistor Wechselrichter
Collector-emitter break down voltage
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
DC collector current
Kollektor-Dauergleichstrom
Repetitive peak collector current
Periodischer Kollektorspitzenstrom
Power dissipation per IGBT
Verlustleistung pro IGBT
Gate-emitter peak voltage
Gate-Emitter-Spitzenspannung
SC withstand time*
Kurzschlußverhalten*
max. Chip temperature
max. Chiptemperatur
Diode Inverter
Diode Wechselrichter
DC forward current
Dauergleichstrom
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Power dissipation per Diode
Verlustleistung pro Diode
max. Chip temperature
max. Chiptemperatur
DC current
tp=10ms
tp=10ms
Tj=150°C
Th=80°C;
Tc=80°C
Tj=25°C
Tj=25°C
Th=80°C
Tc=80°C
VRRM
IFAV
IFSM
I2t
Ptot
Tjmax
Tj=175°C
tp limited by Tj max
Th=80°C,
Tc=80°C
Tj=175°C
Th=80°C
Tc=80°C
Tj”150°C
VCC=360V
VGE=15V
VCE
IC
Icpuls
Ptot
VGE
tSC
Tjmax
Tj=175°C
Th=80°C,
IF
Tc=80°C
tp limited by Tj max
IFRM
Tj=175°C
Th=80°C
Tc=80°C
Ptot
Tjmax
preliminary data sheet
V23990-P633-A-02-14
Datasheet values
Unit
max.
1600
V
30
A
30
200
A
200
A2s
40
W
60
150
°C
600
V
19
A
20
45
A
40
W
60
±20
V
6
us
18
A
20
45
A
32
W
49
175
°C
coCpyorigphtybryiTgyhcotEbleyctroVniicns cotech
Finsinger Feld 1, D-85521 Ottobrunn
Revision:1