M28S Datasheet, PDF (1/1 Pages) Unisonic Technologies – AUDIO OUTPUT DRIVER AMPLIFIER

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
M28S TRANSISTOR (NPN)
FEATURES
Power dissipation
Pcm:0.625W（Tamb=25℃）
Product specification
MARKING:28S
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
Symbol
（符号）
Parameter
（参数名称）
Value
（额定值）
Units
（单位）
VCBO
Collector-Base Voltage （集电极-基极电压）
40
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage （集电极-发射极电压）
20
V
VEBO
Emitter-Base Voltage （发射极-基极电压）
6
V
IC
Collector Current -Continuous （集电极电流）
1
A
PC
Collector Power Dissipation （耗散功率）
0.625
W
Tj
Junction Temperature （结温）
150
℃
Tstg
Storage Temperature （储存温度）
-55-150
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃unless otherwise specified)
Parameter
（参数名称）
Collector-base breakdown voltage
集电极-基极击穿电压
Collector-emitter breakdown
voltage
集电极-发射极击穿电压
Emitter-base breakdown voltage
发射极-基极击穿电压
Collector cut-off current
集电极-基极截止电流
Collector cut-off current
集电极-发射极截止电流
Emitter cut-off current
发射极-基极截止电流
DC current gain
直流电流增益
Collector-emitter saturation voltage
集电极-发射极饱和压降
Transition frequency
特征频率
Symbol
（符号）
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICBO
ICEO
IEBO
hFE
VCE(sat)
fT
Test conditions
（测试条件）
IC= 100μA, IE=0
IC= 1mA, IB=0
IE=100μA, IC=0
VCB=30 V , IE=0
VCE=15V , IB=0
VEB=5V , IC=0
VCE=1V, IC= 100mA
IC=600mA, IB= 20mA
VCE=10V, IC= 50mA
f=30MHZ
MIN
TYP
MAX
UNIT
（最小值） （典型值） （最大值） （单位）
40
V
20
V
6
V
1
μA
10
μA
1
μA
300
1000
0.55
V
100
MHZ
CLASSIFICATION OF hFE
Range
300-500
500-700
700-1000
http://www.twtysemi.com
[e-mail]
4008-318-123
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