|
TPCF8104 Datasheet, PDF (1/3 Pages) Toshiba Semiconductor – TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE(U-MOS4) | |||
|
̨̩̤ÌÌÌÌç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç Ì©Ì¥ÌÌÌÌÌÌç
ÄÄÄÄÄÄÄçÄÄÄÄÄçÄÄÄÄÄÄçÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄçÄÄÄÄÄÄÄçÄçÄÄÄÄÄÄÄçÄÄÄçÄÄ ÄÄïÄʵÄÄÄá¶Ã°Ã§
Ì©Ì¥ÌÌÌÌÌÌ
̴̩̽ÍÌ°Í̸Í
Ì´
ç ÄÄÄÄççÄÄÄÄççÄÄççÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄç ç ç ç ç ç ç ç ç ççççççççççççççççççççççççççççççççççççççç
ç ÄÄÄÄÄÄÄÄççÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄççÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄççççççççççççççççççççççççççç ç ç ç ç ç ç ç çççççÄÄÄÄÄĴĴç
ç
ÄĶľçÄĹĨİĵçôçÄĶļĹĪĬçÄÄçÄĬĺİĺĻĨĵĪĬɿ̧Į̀ï̤̣ðʹùý̼ÐïÄÅķõðç
ɾÄİĮįçÄĶĹľĨĹīçÄĹĨĵĺÄĬĹçÄīĴİĻĻĨĵĪĬɿÅ̵̮ÍÅʹç̨ïÄÅķõðç
ɾÄĶľçÄĬĨIJĨĮĬçÄļĹĹĬĵĻɿÌĮ̨̀ʹôø÷ÐÌïÄĨĿõðçï̫Į̀ʹôú÷̫ðç
ɾÄĵįĨĵĪĬĴĬĵĻçôçÄĶīĬɿ̫Í̷ʹô÷õÿçÊçôùõ÷̫ï̫Į̀ʹôø÷̫óÌÌʹôøĴÌðç
ç
2.9ʶ0.1
0.3
0 05
86
+0.01.3Êʶ0ʵ.1 0.025 M
4
A
5
ÄÄÄÄÄÄÄçÄÄÄÄÄÄÄÊ¢ÄĨʹùüËʣç
ÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄç
ÄÄ ÄÄÄÄç ÄÄÄÄÄÄç ÄÄÄÄç
ÄĹĨİĵçôçÄĶļĹĪĬçÄĶijĻĨĮĬç
Ì«Į̨̀ç
ôú÷ç
̫ç
ÄĹĨİĵçôçÄĨĻĬçÄĶijĻĨĮĬç
Ì«ÌÌ̧ç
ôú÷ç
̫ç
1
4
ï̧Į̀ʹù÷̺Ððç
A
0.65
ÄĨĻĬçôçÄĶļĹĪĬçÄĶijĻĨĮĬç
Ì«Į̨̀ç
ʶù÷ç
̫ç
ÄĹĨİĵçÄļĹĹĬĵĻç
ÄÄçïÄĶĻĬøðç ÌÌç
ôýç
Ìç
ÄļijĺĬçïÄĶĻĬøðç ÌÌ̥ç
ôùûç
Ìç
ÄĹĨİĵç ÄĶľĬĹç ÄİĺĺİķĨĻİĶĵç ïĻÄüĺðç Ì¥Ìç
ùõüç
̬ç
1 0.95 0.95 3
2.9ʶ0.2
ïÄĶĻĬùĨðç
ÄĹĨİĵç ÄĶľĬĹç ÄİĺĺİķĨĻİĶĵç ïĻÄüĺðç Ì¥Ìç
÷õþç
̬ç
ïÄĶĻĬùĩðç
ÄİĵĮijĬçÄļijĺĬçÄĽĨijĨĵĪįĬçÄĵĬĹĮÅïÄĶĻĬúðç ÌĮ̀ç
ÄĽĨijĨĵĪįĬçÄļĹĹĬĵĻç
ÌÌ̧ç
ÄĬķĬĻİĻİĽĬçÄĽĨijĨĵĪįĬçÄĵĬĹĮÅçïÄĶĻĬûðç ÌÌ̧ç
ÄįĨĵĵĬijçÄĬĴķĬĹĨĻļĹĬç
̷̩̲ç
ÄĻĶĹĨĮĬçÄĬĴķĬĹĨĻļĹĬçÄĨĵĮĬç
Ì©ÍÍ̶ç
ç
üõÄç
úç
÷õùüç
øü÷ç
ʵüüÊøü÷ç
̼Ìç
Ìç
̼Ìç
Ëç
Ëç
ÄÄÄÄÄÄÄçÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄç
ÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄç
ÄÄ ÄÄÄÄç ÄÄÄõç ÄÄÄÄç
ÄįĬĹĴĨijçÄĬĺİĺĻĨĵĪĬóçÄįĨĵĵĬijçĻĶçç
ÄĴĩİĬĵĻçïĻÄüĺðçïÄĶĻĬùĨðç
̧Í̷ï̷̲ʵ̰ðç ü÷õ÷ç ËÊ̬ç
0.475
0.8ʶ0.05
0.05
S
0.05ç S
+0.25
0.25 -0.15
ø1õɿçÄDĹĨRÄ°AĵçINç
ç ù2õɿçÄDĹĨRİĵAçINç
ú3õɿçÄDĨĻRççAçINç
ç
ç
576ûüýɿɿɿõõçççÄSDDÄÄĹOĶĹĨRRļĨİUAAĹİĵRĪĵçIIĬçNNCçE
4ɿGATEç ç 8ɿDRAINç
ÌÌÌÌÌ
Ê
ÄįĬĹĴĨijçÄĬĺİĺĻĨĵĪĬóçÄįĨĵĵĬijçĻĶçç
̧Í̷ï̷̲ʵ̰ðç øþÿõýç ËÊ̬ç
ÄĴĩİĬĵĻçïĻÄüĺðçïÄĶĻĬùĩðç
ÌÌÌÌ©Ì
Ê
ç
ÄĶĻĬøóçÄĶĻĬùóçÄĶĻĬúóçÄĶĻĬûóçÄĶĻĬüçÄijĬĨĺĬçĺĬĬçĵĬĿĻçķĨĮĬõç
ç
ç
ÄÄÄÄçÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄçÄÄçÄÄçÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄçÄÄÄÄÄÄÄÄÄçÄÄÄÄÄÄõç
ÄÄÄÄÄÄçÄÄÄÄÄÄçÄÄÄÄçÄÄÄÄÄÄÄõç
ç
TOSHIBA
çÊ
Circuitç Configuration
8
7
6
5
1
2
3
4
|
▷ |