TPC8028 Datasheet, PDF (1/7 Pages) Toshiba Semiconductor – lithium-ion secondary battery Notebook PC Portable electronic equipment

東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネルMOS形 (U-MOSⅣ)
TPC8028
TPC8028
○ リチウムイオン２次電池用
○ ノートブック PC 用
○ 携帯電子機器用
単位: mm
• 小型、薄型で実装面積が小さい。
• オン抵抗が低い。 : R_{DS (ON)} = 3.5mΩ (標準)
• 順方向伝達アドミタンスが高い。
: |Y_fs| = 40 S (標準)
• 漏れ電流が低い。 : I_DSS = 10 µA (最大) (V_DS = 30 V)
• 取り扱いが簡単な、エンハンスメントタイプです。
: V_th = 1.3 ~ 2.5 V (V_DS = 10 V, I_D = 1 mA)
絶対最大定格 (Ta = 25°C)
項
目
記号
定格
単位
ドレイン･ソース間電圧
ド レ イ ン ･ゲ ー ト 間 電 圧
(R_GS = 20 kΩ)
ゲート･ソース間電圧
D C (注 1)
ドレイン電流
パルス (注 1)
許 容 損 失 (t = 10 s) (注 2a)
許 容 損 失 (t = 10 s) (注 2b)
アバランシェエネルギー ( 単 発 )
(注 3)
アバランシェ電流
アバランシェエネルギー ( 連 続 )
(注 2a) (注 4)
チャネル温度
保
存
温
度
V_DSS
V_DGR
V_GSS
I_D
I_DP
P_D
P_D
E_AS
I_AR
E_AR
T_ch
T_stg
30
V
30
V
±20
V
18
A
72
1.9
W
1.0
W
84
mJ
18
A
0.066
mJ
150
°C
−55~150
°C
JEDEC
―
JEITA
―
東芝
2-6J1B
質量: 0.080 g (標準)
回路構成
8765
1234
注: (注 1)、(注 2)、(注 3)、(注 4) は次項を参照ください。
本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても、高負荷 (高温および大電流/高電
圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) および個別
信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
この製品は MOS 構造です。取り扱いの際には、静電気にご注意ください。
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2009-09-29