DF3A8.2LFE Datasheet, PDF (1/3 Pages) Toshiba Semiconductor – DF3A8.2LFE

○ ESD 保護用
東芝ツェナーダイオード エピタキシャルプレーナ形
DF3A8.2LFE
• 小型パッケージに 2 素子を搭載 (アノードコモン) しているため、部品点
数, 実装コストの削減が可能です。
• ツェナー電圧の公称値は E24 シリーズを採用しています。
• 端子間容量が小さい: CT = 5.0 pF (標準)
DF3A8.2LFE
単位: mm
最大定格 (Ta = 25°C)
項
目
記号
定格
単位
許
容
損
失
P
100
mW
接
合
温
度
T_j
125
°C
保
存
温
度
T_stg
−55~125
°C
電気的特性 (Ta = 25°C)
項
目
ツェナー電圧
動
作
抵
抗
立ち上がり動作抵抗
逆
電
流
端子間容量(カソード－アノード間)
記号
V_Z
Z_Z
Z_ZK
I_R
C_T
測定条件
I_Z = 5 mA
I_Z = 5 mA
I_Z = 0.5 mA
V_R = 6. 5 V
V_R = 0 V, f = 1 MHz
ESD イミュニティレベル保証値
試験方法
IEC61000-4-2 準拠
(接触放電)
※ 判定基準:素子破壊なき事
ESD イミュニティレベル
± 6kV
現品表示
内部接続 (top view)
JEDEC
JEITA
東芝
―
―
1-2SA1A
最小 標準 最大 単位
7.8 8.2 8.6
V
⎯
⎯
60
Ω
⎯
⎯
100
Ω
⎯
⎯
0.5
µA
⎯
5.0
⎯
pF
FU
1
2004-03-11