MBM29LV160T Datasheet, PDF(32/58 Page) SPANSION – FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8/1M x 16) BIT

English

English German Russian Spanish Italian Polish Chinese Japanese Korean French Portuguese	Language :

MBM29LV160T Datasheet, PDF (32/58 Pages) SPANSION – FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8/1M x 16) BIT

◁

MBM29LV160T-80/-90/-12/MBM29LV160B-80/-90/-12

â¢ Write (Erase/Program) Operations

Parameter

Symbol

-80

-90

-12

Unit

JEDEC Standard Min Typ Max Min Typ Max Min Typ Max

Write Cycle Time

tAVAV

tWC

80 ï£§ ï£§ 90 ï£§ ï£§ 120 ï£§ ï£§ ns

Address Setup Time

tAVWL

tAS

0 ï£§ ï£§ 0 ï£§ ï£§ 0 ï£§ ï£§ ns

Address Hold Time

tWLAX

tAH

45 ï£§ ï£§ 45 ï£§ ï£§ 50 ï£§ ï£§ ns

Data Setup Time

tDVWH

tDS

35 ï£§ ï£§ 45 ï£§ ï£§ 50 ï£§ ï£§ ns

Data Hold Time

tWHDX

tDH

0 ï£§ ï£§ 0 ï£§ ï£§ 0 ï£§ ï£§ ns

Output Enable Setup Time

tOES

0 ï£§ ï£§ 0 ï£§ ï£§ 0 ï£§ ï£§ ns

Output

Read

0 ï£§ ï£§ 0 ï£§ ï£§ 0 ï£§ ï£§ ns

Enable Hold Toggle and

Time

Data Polling

tOEH

10 ï£§ ï£§ 10 ï£§ ï£§ 10 ï£§ ï£§ ns

Read Recover Time Before Write tGHWL

tGHWL

0 ï£§ ï£§ 0 ï£§ ï£§ 0 ï£§ ï£§ ns

Read Recover Time Before

Write (OE High to CE Low)

tGHEL

0 ï£§ ï£§ 0 ï£§ ï£§ 0 ï£§ ï£§ ns

CE Setup Time

tELWL

tCS

0 ï£§ ï£§ 0 ï£§ ï£§ 0 ï£§ ï£§ ns

WE Setup Time

tWLEL

tWS

0 ï£§ ï£§ 0 ï£§ ï£§ 0 ï£§ ï£§ ns

CE Hold Time

tWHEH

tCH

0 ï£§ ï£§ 0 ï£§ ï£§ 0 ï£§ ï£§ ns

WE Hold Time

tEHWH

tWH

0 ï£§ ï£§ 0 ï£§ ï£§ 0 ï£§ ï£§ ns

Write Pulse Width

tWLWH

tWP

35 ï£§ ï£§ 45 ï£§ ï£§ 50 ï£§ ï£§ ns

CE Pulse Width

tELEH

tCP

35 ï£§ ï£§ 45 ï£§ ï£§ 50 ï£§ ï£§ ns

Write Pulse Width High

tWHWL

tWPH

25 ï£§ ï£§ 25 ï£§ ï£§ 30 ï£§ ï£§ ns

CE Pulse Width High

tEHEL

tCPH

25 ï£§ ï£§ 25 ï£§ ï£§ 30 ï£§ ï£§ ns

Programming

Operation

Byte

ï£§8ï£§ï£§ 8 ï£§ ï£§ 8 ï£§

tWHWH1

Âµs

Word

ï£§ 16 ï£§ ï£§ 16 ï£§ ï£§ 16 ï£§

Sector Erase Operation *1

tWHWH2

ï£§ 1 ï£§ï£§

ï£§ï£§

ï£§s

Delay Time from Embedded

Output Enable

tEOE

ï£§ ï£§ 80 ï£§ ï£§ 90 ï£§ ï£§ 120 ns

VCC Setup Time

tVCS

50 ï£§ ï£§ 50 ï£§ ï£§ 50 ï£§ ï£§ Âµs

Voltage Transition Time *2

tVLHT

4 ï£§ ï£§ 4 ï£§ ï£§ 4 ï£§ ï£§ Âµs

Write Pulse Width *2

tWPP 100 ï£§ ï£§ 100 ï£§ ï£§ 100 ï£§ ï£§ Âµs

OE Setup Time to WE Active *2 â

tOESP

4 ï£§ ï£§ 4 ï£§ ï£§ 4 ï£§ ï£§ Âµs

CE Setup Time to WE Active *2 â

tCSP

4 ï£§ ï£§ 4 ï£§ ï£§ 4 ï£§ ï£§ Âµs

Recover Time From RY/BY

tRB

0 ï£§ ï£§ 0 ï£§ ï£§ 0 ï£§ ï£§ ns

RESET Hold Time Before Read

tRH 200 ï£§ ï£§ 200 ï£§ ï£§ 200 ï£§ ï£§ ns

Program/Erase Valid to RY/BY

Delay

tBUSY ï£§ ï£§ 90 ï£§ ï£§ 90 ï£§ ï£§ 90 ns

BYTE Switching Low to Output

High-Z

tFLQZ

ï£§ ï£§ 25 ï£§ ï£§ 30 ï£§ ï£§ 30 ns

BYTE Switching High to

Output Active

tFHQV ï£§ ï£§ 80 ï£§ ï£§ 90 ï£§ ï£§ 120 ns

Rise Time to VID *2

tVIDR 500 ï£§ ï£§ 500 ï£§ ï£§ 500 ï£§ ï£§ ns

RESET Pulse Width

tRP 500 ï£§ ï£§ 500 ï£§ ï£§ 500 ï£§ ï£§ ns

*1 : This does not include the preprogramming time.

*2 : This timing is for Sector Protection operation.

▷