3TA250GKXXNB Datasheet, PDF (3/3 Pages) Sirectifier Semiconductors – Three Phase Thyristor Module (Half Bridge)

3TA250GKXXNB
Three Phase Thyristor Module (Half Bridge)
Transient Thermal Impedance
０．１
０．１
Junction to Case
０．１
０．０
０．０
０．０
０．０
０．０
１０^ー
Per one element
１０^ー
１０^ー
１０
１０
Time t（sec）
On-State Voltage max
１０
１０
１０
１．
On-State Voltag（e V）
Case Temperature（Single phase half wave）
１５
１４
１３
Per one element
2
360
θ： Conduction Angle
１２
１１
１０
９
θ＝30゜
θ＝90゜
θ＝180゜
D.C.
θ＝60゜
θ＝120゜
１０
０
０
０
Average On-State Current（A）
（Non-Repetitive）
8000
7000
Per one element
6000
5000
６０Hz
4000
3000
１０
１０
Time（cycles）
４０
３０
２０
１０
０
（Single phase half wave）
D.C.
θ＝180゜
θ＝120゜
θ＝90゜
θ＝60゜
θ＝30゜
2
360
: Conduction Angle
Per one element
１０
０
３０
Average On-State Current（A）
Gate Characteristics
１０
１０
Average
Gate
Power（
1W）
Power（
10W）
Maximum Gate Voltage that will not terigger any unit
１０
１０
１０
Gate Curren（t mA）
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P3
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