SFH4510 Datasheet, PDF (4/6 Pages) Siemens Semiconductor Group – GaAs-IR-Lumineszenzdioden 950 nm GaAs Infrared Emitters 950 nm

SFH 4510
SFH 4515
Kennwerte (T_A = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I_F = 100 mA
Spektrale Bandbreite bei 50 % von I_max
Spectral bandwidth at 50 % of I_max
I_F = 100 mA
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area
Schaltzeiten, I_e von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei I_F = 100 mA, R_L = 50 Ω
Switching times, I_e from 10 % to 90 % and
from 90 % to10 %, I_F = 100 mA, R_L = 50 Ω
Kapazität
Capacitance
V_R = 0 V, f = 1 MHz
Durchlaßspannung
Forward voltage
I_F = 100 mA, t_p = 20 ms
I_F = 1 A, t_p = 100 µs
Sperrstrom
Reverse current
V_R = 5 V
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
I_F = 100 mA, t_p = 20 ms
Symbol
Symbol
λ_peak
∆λ
ϕ
A
L×B
L×W
t_r, t_f
C_o
V_F
V_F
I_R
Φ_e
Wert
Value
950
55
± 14
0.09
0.3 × 0.3
0.5
Einheit
Unit
nm
nm
Grad
deg.
mm²
mm
µs
25
pF
1.30 (≤ 1.5) V
2.30 (≤ 2.8) V
0.01 (≤ 1)
µA
22
mW
Semiconductor Group
4
1998-11-12