LPT80A Datasheet, PDF (3/4 Pages) Siemens Semiconductor Group – NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor

LPT 80 A
Kennwerte (T_A = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S=10% von Smax
Spectral range of sensitivity
S=10% of Smax
Abmessung der Chip-Fläche
Dimensions of chip area
Halbwinkel
Half angle
Kapaziät, V_CE = 5 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance
Dunkelstrom, V_CE = 5 V
Dark current
Symbol
Symbol
λ_{S max}
λ
LxB
LxW
ϕ
C_CE
I_R
Wert
Value
850
Einheit
Unit
nm
430 ... 1070 nm
0.55 x 0.55
± 35
3.3
3 (< 50)
mm x mm
Grad
deg.
pF
nA
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Fotostrom
Photocurrent
E_e = 0.5 mW/cm², V_CE = 5 V,
λ = 950 nm
E_v = 1000 lx, Normlicht/standard light A, V_CE = 5 V
Anstiegs- und Abfallzeit
Rise and fall time
R_L = 1 kΩ, V = 5 V, λ=950 nm, I_C = 1 mA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I_C = I_{PCE min} x 0.8,
E_e = 0.5 mW/cm²
I_PCE
I_PCE
t_r, t_f
V_CEsat
Wert
Value
> 0.25
3.2
10
Einheit
Unit
mA
µs
150
mV
Semiconductor Group
3
1998-11-16