BPX43 Datasheet, PDF (3/6 Pages) Vishay Siliconix – Silicon NPN Phototransistor

BPX 43
Kennwerte (T_A = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S_max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S_max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
Photocurrent of collector-base photodiode
E_e = 0.5 mW/cm², V_CB = 5 V
E_v = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V_CB = 5 V
Kapazität
Capacitance
V_CE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
V_CB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
V_EB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Dunkelstrom
Dark current
V_CE = 25 V, E = 0
Symbol
Symbol
λ_{S max}
λ
A
L×B
L×W
H
ϕ
I_PCB
I_PCB
C_CE
C_CB
C_EB
I_CEO
Wert
Value
880
Einheit
Unit
nm
450 ... 1100 nm
0.675
1×1
2.4 ... 3.0
mm²
mm × mm
mm
± 15
Grad
deg.
11
µA
35
µA
23
pF
39
pF
47
pF
20 (≤ 300)
nA
Semiconductor Group
225