BPY64P Datasheet, PDF (2/3 Pages) Siemens Semiconductor Group – Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell

BPY 64 P
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Symbol
Symbol
T_op; T_stg
V_R
Wert
Value
− 55 ... + 100
Einheit
Unit
°C
1
V
Kennwerte (T_A = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (T_A = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit, V_R = 0 V
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S_max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S_max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessungen der
bestrahlungsempfindlichen Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom, V_R = 1 V; E = 0
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
Spectral sensitivity
Quantenausbeute, λ = 850 nm
Quantum yield
Leerlaufspannung, E_v = 1000 Ix
Open-circuit voltage
Kurzschluβstrom, E_v = 1000 Ix
Short-circuit current
Symbol
Symbol
S
λ_{S max}
λ
A
L× B
L×W
ϕ
I_R
S_λ
η
V_O
I_SC
Wert
Value
0.25 ( 0.18)
Einheit
Unit
µA/Ix
850
nm
420 ... 1060 nm
0.36
cm²
5.98 × 5.98
mm
± 60
4 (≤ 80)
Grad
deg.
µA
0.50
A/W
0.72
450 (≥ 280)
Electrons
Photon
mV
0.25 (≥ 0.18) mA
Semiconductor Group
198