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BPY63P Datasheet, PDF (2/4 Pages) Siemens Semiconductor Group – Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell | |||
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BPY 63 P
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Symbol
Symbol
Top; Tstg
VR
Wert
Value
â 55 ... + 100
Einheit
Unit
°C
1
V
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit, VR = 0 V
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessungen der
bestrahlungsempfindlichen Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom, VR = 1 V; E = 0
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
Spectral sensitivity
Quantenausbeute, λ = 850 nm
Quantum yield
Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix
Open-circuit voltage
Kurzschluβstrom, Ev = 1000 Ix
Short-circuit current
Symbol
Symbol
S
λS max
λ
A
LÃB
LÃW
Ï
IR
Sλ
η
VO
ISC
Wert
Value
0.65 (⥠0.45)
Einheit
Unit
µA/Ix
830
nm
400 ... 1100 nm
94
9.69Ã9.69
mm2
mm
± 60
10 (⤠60)
Grad
deg.
µA
0.5
A/W
0.72
430 (⥠280)
Electrons
Photon
mV
0.65 (⥠0.45) mA
Semiconductor Group
194
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