SFH495P Datasheet, PDF (1/4 Pages) Siemens Semiconductor Group – GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter

GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
SFH 495 P
SFH 4552
29
5.0
27
4.2 Anode
5.9
5.5
1.8
3.85
1.2
3.35
Area not flat
Chip position
Area not flat
6.9
0.6
6.1
0.4
5.7
5.5
0.6
0.4
GEX06971
5.9
5.5
1.8
1.2
29.5
27.5
Cathode (Diode)
Collector (Transistor)
4.0
3.4
Chip position
0.6
0.4
GEX06630
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q Stimulierter Emitter mit sehr hohem
Wirkungsgrad
q Laserdiode in diffusem Gehäuse
q Besonders geeignet für Impulsbetrieb bei
hohen Strömen
q Hohe Zuverlässigkeit
q Gegurtet lieferbar
Anwendungen
q Datenübertragung
q Fernsteuerungen
q „Messen, Steuern, Regeln“
Features
q Stimulated emitter with high efficiency
q Laser diode in diffuse package
q Suitable esp. for pulse operation at high
current
q High reliability
q Available on tape and reel
Applications
q Data transfer
q Remote controls
q For drive and control circuits
Semiconductor Group
1
1998-09-18