SFH4860 Datasheet, PDF (1/5 Pages) Siemens Semiconductor Group – GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm

GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm)
GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm)
SFH 4860
Chip position
14.5 ^(2.7)
12.5
Cathode _4.05
3.45
1.10.9
0.91.1
Flat glass cap
ø2.54
5.5
5.2
GMO06983
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne
IR-Anteil
q Kathode galvanisch mit dem
Gehäuseboden verbunden
q Sehr hoher Wirkungsgrad
q Hohe Zuverlässigkeit
q Kurze Schaltzeiten
Anwendungen
q Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb bis 5 MHz
q Hermetisch dichtes Gehäuse
Features
q Radiation without IR in the visible red range
q Cathode is electrically connected to the case
q Very high efficiency
q High reliability
q Short switching time
Applications
q Photointerrupters
q Hermetically sealed package
Typ
Type
SFH 4860
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P5053
Gehäuse
Package
18 A3 DIN 41876 (TO-18), Bodenplatte, Plankappe,
Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (¹/₁₀’’),
Anodenkennzeichnung: Nase am Gehäuseboden
18 A3 DIN 870 (TO -18), flat glass cap, lead spacing
2.54 mm (¹/₁₀’’),
anode marking: projection at package bottom
Semiconductor Group
1
1998-08-25