SFH485P Datasheet, PDF (1/4 Pages) Siemens Semiconductor Group – GaAiAs INFRARED EMITTER

GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm)
GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)
SFH 485 P
Area not flat
0.6
0.4
5.0
4.2 _3.85
Cathode
5.9
3.35
5.5
1.8
1.2
29
27
1.0
0.5
Chip position
0.6
0.4
GEX06306
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt
im Schmelzepitaxieverfahren
q Enge Toleranz: Chipoberfläche/
Bauteiloberkante
q Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
q Sehr plane Oberfläche
q Gehäusegleich mit SFH 217
Features
q GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in
a liquid phase epitaxy process
q Small tolerance: Chip surface to case
surface
q Good spectral match to silicon
photodetectors
q Plane surface
q Same package as SFH 217
Anwendungen
q Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb bis 500 kHz
q LWL
Applications
q Light-reflection switches for steady and
varying intensity (max. 500 kHz)
q Fibre optic transmission
Typ
Type
SFH 485 P
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q516
Gehäuse
Package
5-mm-LED-Gehäuse, plan, klares violettes Epoxy-
Gießharz, Lötspieße im 2.54-mm-Raster (¹/10’’),
Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß
5 mm LED package (T 1 ³/4), plane violet-colored
transparent epoxy resin, solder tabs lead spacing
2.54 mm (¹/10’’), anode marking: short lead.
Semiconductor Group
1
1998-06-26