SFH483 Datasheet, PDF (1/5 Pages) Siemens Semiconductor Group – GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter

GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAlAs Infrared Emitter
SFH 483
ø0.45
2.7
Chip position
0.91.1
14.5
3.6
12.5
3.0
Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464)
Cathode (SFH 483)
Approx. weight 0.5 g
1.10.9 ₁
ø5.5
ø5.2
GET06625
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode mit hohem
Wirkungsgrad
q Die Anode ist galvanisch mit dem
Gehäuseboden verbunden
q Hohe Impulsbelastbarkeit
q Hohe Zuverlässigkeit
q Anwendungsklasse nach DIN 40040 GQG
q Gehäusegleich mit BPX 63, BP 103, LD 242,
SFH 464
Features
q Highly efficient GaAlAs LED
q Anode is electrically connected to the case
q High pulse power
q High reliability
q DIN humidity category in acc. with
DIN 40040 GQG
q Same package as BPX 63, BP 103, LD 242,
SFH 464
Anwendungen
q IR-Fernsteuerungen und Tonübertragungen
q Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Applications
q IR remote controls and sound transmission
q Photointerrupter
Typ
Type
SFH 483 E7800
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q1090
Gehäuse
Package
18 A3 DIN 41870 (TO-18), Bodenplatte, klares Epoxy-
Gießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (¹/₁₀’’)
18 A3 DIN 41870 (TO-18), clear epoxy resin, lead
spacing 2.54 mm (¹/₁₀’’)
Semiconductor Group
1
1997-11-01