SFH464 Datasheet, PDF (1/5 Pages) Siemens Semiconductor Group – GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm

GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm)
GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm)
SFH 464
ø0.45
2.7
Chip position
0.91.1
14.5
3.6
12.5
3.0
Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464)
Cathode (SFH 483)
Approx. weight 0.5 g
1.10.9 ₁
ø5.5
ø5.2
GET06625
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-
Anteil
q Kathode galvanisch mit dem
Gehäuseboden verbunden
q Sehr hoher Wirkungsgrad
q Hohe Zuverlässigkeit
q Kurze Schaltzeiten
q Gehäusegleich mit BP 103, LD 242
q Anwendungsklassen nach DIN 40040 GQG
q Lochblendenvermessenes Bauteil
(E 7800)
Anwendungen
q Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb bis 5 MHz
q LWL
Features
q Radiation without IR in the visible red range
q Cathode is electrically connected to the case
q Very high efficiency
q High reliability
q Short switching time
q Same package as BP 103, LD 242
q DIN humidity category in acc. with DIN
40040 GQG
q Component subjected to aperture
measurement (E 7800)
Applications
q Photointerrupters
q Fiber optic transmission
Typ
Type
SFH 464 E7800
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-Q1745
Gehäuse
Package
18 A3 DIN 41876 (TO-18), Bodenplatte, klares Epoxy-
Gießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (¹/₁₀’’),
Anodenkennzeichnung: Nase am Gehäuseboden
18 A3 DIN 870 (TO -18), clear epoxy resin, lead
spacing 2.54 mm (¹/₁₀’’), anode marking: projection at
package bottom
Semiconductor Group
1
1998-07-15