SFH420 Datasheet, PDF (1/5 Pages) Siemens Semiconductor Group – GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAs Infrared Emitter in SMT Package

GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse
GaAs Infrared Emitter in SMT Package
3.0
2.6
2.1
1.7
2.3
0.1 (typ)
0.9
2.1
0.7
SFH 420
SFH 425
0.8
0.6
Cathode/Collector marking
Approx. weight 0.03 g
(2.4)
0.18
0.6
0.12
0.4
Cathode/Collector
GPL06724
SFH 420 TOPLED^®
Cathode/
Collector
2.54
spacing
1.1
0.9
Anode/
Emitter
Collector/Cathode marking
(2.85)
GPL06880
(R1)
SFH 425 SIDELED^®
4.2
3.8
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
Features
q GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
q Very highly efficient GaAs-LED
q Gute Linearität (I_e = f [I_F]) bei hohen Strömen q Good Linearity (I_e = f [I_F]) at high currents
q Gleichstrom- (mit Modulation) oder
q DC (with modulation) or pulsed operations
Impulsbetrieb möglich
are possible
q Hohe Zuverlässigkeit
q High reliability
q Hohe Impulsbelastbarkeit
q High pulse handling capability
q Oberflächenmontage geeignet
q Suitable for surface mounting (SMT)
q Gegurtet lieferbar
q Available on tape and reel
q SFH 420 Gehäusegleich mit SFH 320/421
q SFH 420 same package as SFH 320/421
SFH 425 Gehäusegleich mit SFH 325/426
SFH 425 same package as SFH 325/426
q SFH 425: Nur für IR-Reflow-Lötung geeignet. q SFH 425: Suitable only for IR-reflow
Bei Schwallötung wenden Sie sich bitte an uns. soldering. In case of dip soldering, please
contact us first.
Semiconductor Group
1
1997-11-01