SFH415 Datasheet, PDF (1/5 Pages) Siemens Semiconductor Group – GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters

GaAs-IR-Lumineszenzdioden
GaAs Infrared Emitters
SFH 415
SFH 416
Cathode
29
9.0
27
8.2
1.8
7.8
5.9
1.2
7.5
5.5
4.8
4.2
Area not flat
Chip position
Approx. weight 0.2 g
Area not flat
0.6
6.9
6.1
0.4
5.7
5.5
0.6
0.4
GEO06645
5.9
5.5
1.8
1.2
29.5
27.5
Cathode (Diode)
Collector (Transistor)
Approx. weight 0.4 g
4.0
3.4
Chip position
0.6
0.4
GEX06630
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q GaAs-IR-Lumineszenzdioden, hergestellt
im Schmelzepitaxieverfahren
q Gute Linearität (I_e = f [I_F]) bei hohen Strömen
q Sehr hoher Wirkungsgrad
q Hohe Zuverlässigkeit
q Hohe Impulsbelastbarkeit
q SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,
SFH 203
Anwendungen
q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern
q Gerätefernsteuerungen
Features
q GaAs infrared emitting diodes, fabricated in
a liquid phase epitaxy process
q Good linearity (I_e = f [I_F]) at high currents
q High efficiency
q High reliability
q High pulse handling capability
q SFH 415: Same package as SFH 300,
SFH 203
Applications
q IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
q Remote control of various equipment
Semiconductor Group
1
1997-11-01