SFH409 Datasheet, PDF (1/4 Pages) Siemens Semiconductor Group – GaAs Infrared Emitter

GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
SFH 409
Area not flat
0.6
5.2
0.4
4.5 4.1
3.9
4.0
3.6
1.8
1.2
29
6.3
27
5.9
Cathode (SFH 409)
Anode (SFH 487)
Approx. weight 0.3 g
(3.5)
Chip position
0.6
0.4
GEX06250
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
q Hohe Zuverlässigkeit
q Hohe Impulsbelastbarkeit
q Gruppiert lieferbar
q Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487
Anwendungen
q Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q IR Fernsteuerungen
Features
q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
q High reliability
q High pulse handling capability
q Available in groups
q Same package as SFH 309, SFH 487
Applications
q Photointerrupters
q IR remote control of various equipment
Typ
Type
SFH 409
SFH 409-1¹⁾
SFH 409-2
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P860
Q62702-P1001
Q62702-P1002
1) _{Nur auf Anfrage lieferbar.}
1) _{Available only on request.}
Gehäuse
Package
3-mm-LED-Gehäuse (T 1), grau eingefärbt, An-
schlüsse im 2.54-mm-Raster (¹/₁₀’’),
Kathodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß
3 mm LED package (T 1), grey-colored epoxy resin,
solder tabs lead spacing 2.54 mm (¹/₁₀’’),
cathode marking: short lead
Semiconductor Group
1
1997-11-01