SFH405 Datasheet, PDF (1/4 Pages) Siemens Semiconductor Group – GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter

GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
1.15
1)
2.84
2.24
0.90
SFH 405
0.5
0...5˚
0.4
2.1
1.5
Collector (SFH 305)
2.54 spacing _{Cathode (SFH 405)}
1) Detaching area for tools,
flash not true to size.
Approx. weight 0.02 g
GEO06137
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
q Hohe Zuverlässigkeit
q Hohe Strahlstärke
q Hohe Impulsbelastbarkeit
q Gruppiert lieferbar
q Gehäusegleich mit SFH 305
Anwendungen
q Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q Lochstreifenleser
q Industrieelektronik
q “Messen/Steuern/Regeln”
Features
q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
q High reliability
q High radiant intensity
q High pulse handling capability
q Available in groups
q Same package as SFH 305
Applications
q Miniature photointerrupters
q Punched tape-readers
q Industrial electronics
q For control and drive ciruits
Typ
Type
SFH 405
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P835
Gehäuse
Package
Miniatur-Leiterbandgehäuse, klares Epoxy-Gießharz,
linsenförmig, Anschluß im 2.54-mm-Raster (¹/₁₀’’),
Kathodenkennzeichnung: abgeschrägte Anschlüsse
Miniature lead frame, transparent epoxy resin, solder
tabs lead spacing 2.54 mm (¹/₁₀’’), cathode marking:
bevelled leads
Semiconductor Group
1
1997-11-01