LD274 Datasheet, PDF (1/4 Pages) Siemens Semiconductor Group – GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter

GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
LD 274
Area not flat
0.6
9.0
8.2
0.4
7.8
5.9
7.5
5.5
1.8
1.2
29
27
Cathode (Diode)
Collector (Transistor)
Approx. weight 0.5 g
5.7
5.1
Chip position
0.6
0.4
GEX06260
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q Sehr enger Abstrahlwinkel
q GaAs-IR-LED, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
q Hohe Zuverlässigkeit
q Hohe Impulsbelastbarkeit
q Gruppiert lieferbar
q Gehäusegleich mit SFH 484
Features
q Extremely narrow half angle
q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
q High reliability
q High pulse handling capability
q Available in groups
q Same package as SFH 484
Anwendungen
q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern, Geräten
Applications
q IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers,
of various equipment
Typ
Type
LD 274
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q1031
LD 274-2¹⁾
Q62703-Q1819
LD 274-3
Q62703-Q1820
1) _{Nur auf Anfrage lieferbar.}
1) _{Available only on request.}
Gehäuse
Package
5-mm-LED-Gehäuse (T 1 ³/₄), graugetöntes Epoxy-
Gießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (¹/₁₀’’),
Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieß, flat
5 mm LED package (T 1 ³/₄), grey colored epoxy resin
lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (¹/₁₀’’), cathode
marking: shorter solder lead, flat
Semiconductor Group
1
1997-11-01