LD271 Datasheet, PDF (1/5 Pages) Siemens Semiconductor Group – GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter

GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
LD 271, LD 271 H
LD 271 L, LD 271 HL
Area not flat
0.6
9.0
8.2
0.4
7.8
5.9
7.5
5.5
1.8
1.2
14.0
13.0
4.8
4.2
11.4
11.0
Cathode Chip position
Approx. weight 0.5 g
Cathode
29
9.0
27
8.2
1.8
7.8
1.2
7.5
0.6
0.4
GEX06239
5.9
5.5
4.8
4.2
Area not flat
Chip position
0.6
0.4
GEO06645
Approx. weight 0.2 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q GaAs-IR-LED, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
q Hohe Zuverlässigkeit
q Hohe Impulsbelastbarkeit
q Lange Anschlüsse
q Gruppiert lieferbar
q Gehäusegleich mit SFH 300, SFH 203
Features
q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
q High reliability
q High pulse handling capability
q long leads
q Available in groups
q Same package as SFH 300, SFH 203
Anwendungen
q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern
q Gerätefernsteuerungen
q Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Applications
q IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
q Remote control of various equipment
q Photointerrupters
Semiconductor Group
1
1997-11-01