LD261 Datasheet, PDF (1/4 Pages) Siemens Semiconductor Group – GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter

GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
Chip
2.4
position
2.1
LD 261
0.5
0.4
0.4 A
0.25
0.7
0 ... 5
0.15
0.6
2.1
1.5
A
2.54 mm spacing
Radiant sensitive area
(0.4 x 0.4)
1.4
1.0
Collector (BPX 81)
Cathode (LD 261)
1) Detaching area for tools, flash not true to size.
Approx. weight 0.03 g
GEO06021
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
q Hohe Zuverlässigkeit
q Gruppiert lieferbar
q Gehäusegleich mit BPX 81
Features
q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
q High reliability
q Available in bins
q Same package as BPX 81
Anwendungen
q Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q Lochstreifenleser
q Industrieelektronik
q “Messen/Steuern/Regeln”
Applications
q Miniature photointerrupters
q Punched tape readers
q Industrial electronics
q For control and drive circuits
Typ
Type
LD 261
LD 261-5
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q395
Q62703-Q67
Gehäuse
Package
Leiterbandgehäuse, klares Epoxy-Gießharz, linsenför-
mig im 2.54-mm-Raster (¹/₁₀’’), Kathodenkennzeich-
nung: Nase am Lötspieß
Lead frame, transparent epoxy resin lens, solder tabs
lead spacing 2.54 mm (¹/₁₀’’), cathode marking: projec-
tion at solder lead
Semiconductor Group
1
1997-11-01