LD260 Datasheet, PDF (1/4 Pages) Siemens Semiconductor Group – GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays

GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen
GaAs Infrared Emitter Arrays
LD 260
LD 262 ... LD 269
Chip
7.4
7.0
position
0.5
0.4
0.7
2.54 mm
0.6
spacing
A
1.4
1.0
Collector (BPX 83)
Cathode (LD 263)
0 ... 5
0.4 A
0.25
0.15
2.1
1.5
GEO06367
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
q Hohe Zuverlässigkeit
q Gehäusegleich mit BPX 80-Serie
Anwendungen
q Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q Lochstreifenleser
q Industrieelektronik
q “Messen/Steuern/Regeln”
Features
q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
q High reliability
q Same package as BPX 80 series
Applications
q Miniature photointerrupters
q Punched tape-readers
q Industrial electronics
q For control and drive circuits
Semiconductor Group
1
1997-11-01