LD242 Datasheet, PDF (1/5 Pages) Siemens Semiconductor Group – GaAs Infrared Emitter

GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
LD 242
ø0.45
2.7
Chip position
0.91.1
14.5
3.6
12.5
3.0
Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464)
Cathode (SFH 483)
Approx. weight 0.5 g
1.10.9 ₁
ø5.5
ø5.2
GET06625
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
q Kathode galvanisch mit Gehäuseboden
verbunden
q Hohe Zuverlässigkeit
q Großer Öffnungskegel
q Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63,
SFH 464, SFH 483
q Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQG
Features
q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
q Cathode is electrically connected to the case
q High reliability
q Wide beam
q Same package as BP 103, BPX 63,
SFH 464, SFH 483
q DIN humidity category in acc. with
DIN 40 040 GQG
Anwendungen
q IR-Fernsteuerungen und Tonübertragungen
q Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Applications
q IR remote control and sound transmission
q Photointerrupters
Typ
Type
LD 242-2
LD 242-3
LD 242 E7800
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q198
Q62703-Q199
Q62703-Q3509
Gehäuse
Package
Bodenplatte nach 18 A3 DIN 41876 (TO-18), klares
Epoxy-Gießharz, linsenförmig im 2.54-mm-Raster
(¹/₁₀’’)
Base plate as per 18 A3 DIN 41876 (TO-18), transpar-
ent epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm
(¹/₁₀’’)
Semiconductor Group
1
1998-07-15