KOM2100B Datasheet, PDF (1/4 Pages) Siemens Semiconductor Group – 6fach-Silizium-PIN-Fotodiodenarray 6-Chip Silicon PIN Photodiode Array

6fach-Silizium-PIN-Fotodiodenarray
6-Chip Silicon PIN Photodiode Array
KOM 2100 B
KOM 2100 BF
KOM 2100 B
KOM 2100 BF
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm (KOM
2100 B) und bei 880 nm (KOM 2100 BF)
q Kurze Schaltzeit (typ. 13 ns)
q Kathode = Chipunterseite
q Geeignet für Diodenbetrieb (mit
Vorspannung) und Elementbetrieb
q SMT-fähig
Features
q Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (KOM 2100 B) and of
880 nm (KOM 2100 BF)
q Short switching time (typ. 13 ns)
q Cathode = back contact
q Available as photodiode with reverse
voltage or photovoltaic cell
q Suitable for SMT
Anwendungen
q Universell, z.B. Drehwinkelgeber
Applications
q General-purpose, e.g. encoders
Typ
Type
KOM 2100 B
KOM 2100 BF
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-K35
Q62702-K34
Gehäuse
Package
Platine mit SMT-Flanken, Abdeckrahmen mit
klarem bzw. schwarzem Epoxyverguß
pcb with SMT flanks, cover frame sealed with
transparent or black epoxy
Semiconductor Group
469
10.95