|
F11F60CPM Datasheet, PDF (2/2 Pages) Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd – Power MOSFET | |||
|
◁ |
F11F60CPM
â ç¹æ§å³ CHARACTERISTIC DIAGRAMS
à¥à¾à²à©
Typical Output Characteristics
ÌÌ
7Ì4ÌÌÌ«
ÌÌ
ÌÌ«
5DË
5:1
1VMTF NFBTVSFNFOU
7Ì4ÌÌ«
ÌÌ
à°»à¡à²à©
Transfer Characteristics
ÌÌ
ÌÌ Ì©Ì²ÊµÌÌË
ÌÌË
ɹÌÌÌË
ÌÌ
ɹÌÌÌË
Ï
ϨΠϯɾιÊεØΦϯà°ß
á´·Ï
ϨΠϯిྲྀ
Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current
Ì
7(4ʹÌÌ7
5DʹÌÌË
5:1
Ì
1VMTF NFBTVSFNFOU
Ì
ÌɽÌ
ÌÌ
ÌÌ
Ì
7Ì4ÌÌ«
7Ì4ÌÌ«
ÌÌ
Ì
Ì
Ì
Ì
ÌÌ
%SBJO 4PVSDF 7PMUBHF 7%4ʤ7ʥ
Ï
ϨΠϯɾιÊεØΦϯà°ß
á´·ÎÊεԹà±
Static Drain-Source On-state Resistance vs Case Temperature
ÌÌ
1VMTF NFBTVSFNFOU
Ì
*%ÌÌ "
ÌɽÌ
ÌɽÌÌʵÌÌ
7(4ʹÌÌ7
1VMTF UFTU
5:1
Ì
ÌÌ
ÌÌÌ
ÌÌÌ
$BTF Ì©FNQFSBUVSF 5DʤËÊ¥
Õ¡à±à³¤à°ß
Transient Thermal Impedance
Ì
7%47
5:1
1VMTF NFBTVSFNFOU
ÌÌ
Ì
ÌÌ
ÌÌ
ÌÌ
(BUF 4PVSDF 7PMUBHF 7(4ʤ7ʥ
ήÊÏÍ ÍÍà®à°¿Ñ¹á´·ÎÊεԹà±
Gate Threshold Voltage vs Case 5emperature
Ì
1VMTF NFBTVSFNFOU
Ì
Ì
Ì
Ì
ÌʵÌÌ
7%4ʹÌÌ7
*%ÌN"
5:1
Ì
ÌÌ
ÌÌÌ
ÌÌÌ
$BTF 5FNQFSBUVSF 5DʤËÊ¥
ΩÏÏγλϯεà²à©
Capacitance Characteristics
ÌɽÌ
ÌɽÌ
ÌɽÌÌÌÉ½Ì ÌɽÌ
ÌÉ½Ì Ì Ì
Ì ÌÌ ÌÌ
%SBJO $VSSFOU *%ʤ"ʥ
Òશà²à¡à¾Ò¬
Safe Operating Area
ÌÌÌ
ÌÌ
ÌÌ
ÌÌ
3%4Ê¢POÊ£
3FTUSJDUFETQBDF
Ì
ÌɽÌ
ÐT
ÐT
ÐT
NT
NT
%$
5DʹÌÌË
4JOHMF QVMTF
ÌɽÌÌÌ
ÌÌ
ÌÌÌ
ÌÌÌ
%SBJO 4PVSDF 7PMUBHF 7%4ʤ7ʥ
શà¬à£¦Ý®à¦à½° á´·ÎÊεԹà±
Power Derating - Case Temperature
ÌÌÌ
ÐKD
Ì̸ÍÍ
ÌÌ
ÌÌÌ ÌÌÌ ÌÌÌ ÌÌÌ ÌÌÌ ÌÌÌ ÌÌÌ ÌÌÌ
5JNF UʤTʥ
ήÊÏνÏÊδà²à©
Gate Charge Characteristics
ÌÌÌ
7%4
ÌÌÌ
ÌÌÌ
7%%ÌÌÌÌ«
ÌÌÌÌ«
ÌÌÌÌ«
ÌÌ
*%ÌÌ"
5:1
ÌÌ
7Ì4
ÌÌ
ÌÌÌ
Ì
ÌÌÌ
ÌPÍÍ
ÌSÍÍ
GʹÌ.)[
5DʹÌÌË
5:1
Ì ÌÌÌ ÌÌÌ ÌÌÌ ÌÌÌ ÌÌÌ ÌÌÌ
%SBJO 4PVSDF 7PMUBHF 7%4ʤ̫ʥ
ÌÌ
ÌÌ
ÌÌ
ÌÌ
ÌÌ ÌÌ ÌÌ ÌÌÌ ÌÌÌ ÌÌÌ
$BTF 5FNQFSBUVSF 5DʤËÊ¥
ÌÌ
Ì
ÌÌ
ÌÌ
ÌÌ
ÌÌÌ
5PUBM (BUF $IBSHF 2HʤO$ʥ
ï¼ Sinewave㯠50Hzã§æ¸¬å®ãã¦ãã¾ãã
ï¼ 50Hzsinewaveisusedformeasurements.
www.shindengen.co.jp/product/semi/
ï¼MOSFETã2010.07ãï¼
|