P9B40HP2 Datasheet, PDF (1/4 Pages) Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd – Power MOSFET

P9B40HP2
PowerMOSFET
■外観図 OUTLINE
Package：FB
Unit：mm
400V9A
特長
煙高耐圧
煙低ノイズ
煙低オン抵抗
Feature
煙 HighVoltage
煙 Low Noise
煙 LowRON


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P9B40H2
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外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については捺
印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings（指定のない場合 Tc＝25℃）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ドレイン電流（直流）
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流（ピーク）
ContinuousDrainCurrent(Peak)
ソース電流（直流）
ContinuousSourceCurrent(DC)
全損失
TotalPowerDissipation
繰り返しアバランシェ電流
RepetitiveAvalancheCurrent
単発アバランシェエネルギー
SingleAvalancheEnergy
繰り返しアバランシェエネルギー
RepetitiveAvalancheEnergy
ドレインソース間ダイオード
Drain-SourceDiode
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
IS
PT
IAR
EAS
EAR
di/dt
Tch＝150℃
Tc＝Tchからのスターティング温度 Tch＝ 25℃
StartingtemperatureTch=Tc,Tch=25˚ C
Tc＝Tchからのスターティング温度 Tch＝ 25℃
StartingtemperatureTch=Tc,Tch=25˚ C
Is＝9A,Tc＝ 25℃
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics（指定のない場合 Tc＝ 25℃）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
V（BR）DSS ID＝1mA,VGS＝0V
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
IDSS VDS＝ 400V,VGS＝0V
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
IGSS VGS＝ ±25V,VDS＝0V
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
gfs ID＝ 4.5A,VDS＝10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
StaticDrain-SourceOn-stateResistance
R（DS）ON
ID＝ 4.5A,VGS＝10V
ゲートしきい値電圧
GateThresholdVoltage
VTH ID＝ 1mA,VDS＝10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwadeVoltage
VSD
IS＝ 4.5A,VGS＝0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc 接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg VDD＝ 320V,VGS＝10V,ID＝ 9A
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS＝ 50V,VGS＝0V,f＝1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
td（on）
上昇時間
Risetime
tr ID＝ 4.5A,RL＝ 33.3Ω ,VDD＝150V,
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
td（off） VGS（＋）＝ 10V,VGS（－）＝ 0V
下降時間
Falltime
tf
規格値
Ratings
－55～150
150
400
±30
9
36
9
40
9
37
3.7
350
単位
Unit
℃
V
A
W
A
mJ
A/μs
規格値 Ratings _単位
MIN TYP MAX ^Unit
400 ─ ─
V
─ ─ 100
─
─ ±10 ^μA
3.5 7.0 ─
S
─ 0.65 0.80 Ω
3.0 3.75 4.5
─ ─ 1.5
V
─ ─ 3.12 ℃/W
─ 14.5 ─ nC
─ 575 ─
─
5 ─ pF
─ 60 ─
─ 8.5 ─
─
30 ─
ns
─ 50 ─
─ 25 ─
（MOS-P〈2011.2〉）
www.shindengen.co.jp/product/semi/