P60B6EL Datasheet, PDF (1/4 Pages) Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd – Power MOSFET

Nch
P60B6EL
PowerMOSFET
■外観図 OUTLINE
Package：FB
Unit：mm
60V60A
特長
煙面実装タイプ
煙低オン抵抗
煙４.５V駆動
煙低容量
Feature
煙SMD
煙LowRON
煙4.5VGateDrive
煙LowCapacitance


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P60B6EL
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外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings（指定のない場合 Tc＝25℃/unlessotherwisespecified）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
GateSourceVoltage
ドレイン電流（直流）
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流（ピーク）
ContinuousDrainCurrent(Peak)
全損失
TotalPowerDissipation
単発アバランシェ電流
SingleAvalancheCurrent
単発アバランシェエネルギー
SingleAvalancheEnergy
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
PT
IAS
EAS
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
StartingTch=25℃,Tch≦150℃
StartingTch=25℃,Tch≦150℃
－55～150
150
℃
60
±20
V
60
A
240
62.5
W
35
A
153
mJ
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics（指定のない場合 Tc＝25℃/unlessotherwisespecified）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値 Ratings _単位
MIN TYP MAX ^Unit
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
V（BR）DSS ID＝1mA,VGS＝0V
IDSS VDS＝60V,VGS＝0V
IGSS VGS＝±20V,VDS＝0V
gfs ID＝30A,VDS＝10V
R ^{ドレイン・ソース間オン抵抗}
StaticDrain-SourceOn-stateResistance （DS）ON
ID＝30A,VGS＝10V
ID＝30A,VGS＝4.5V
ゲートしきい値電圧
GateThresholdVoltage
VTH ID＝1mA,VDS＝10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwardVoltage
VSD
IS＝60A,VGS＝0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc 接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg
ゲート・ソース電荷量
GatetoSourceCharge
Qgs VDD＝48V,VGS＝10V,ID＝60A
ゲート・ドレイン電荷量
GatetoDrainCharge
Qgd
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS＝25V,VGS＝0V,f＝1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
td（on）
上昇時間
Risetime
tr ID＝30A,RL＝1Ω,VDD＝30V,Rg＝0Ω,
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
td（off） VGS（＋）＝10V,VGS（－）＝0V
降下時間
Falltime
tf
ダイオード逆回復時間
DiodeReverseRecoveryTime
ダイオード逆回復電荷量
DiodeReverseRecoveryCharge
trr
Qrr
IF＝60A,VGS＝0V,di/dt＝100A/μs
60 ─ ─
V
──
1 _μA
─ ─ ±0.1
19 38 ─
S
─ 6.1 7.7
─
7.3 9.8 ^mΩ
1.5 2.0 2.5 _V
─ ─ 1.5
──
2 ℃/W
─ 55 ─
─ 10 ─ nC
─ 18 ─
─ 2920 ─
─ 190 ─ pF
─ 355 ─
─
9─
─
24 ─
ns
─ 23 ─
─
4─
─
45 ─
ns
─ 65 ─ nC
（MOS-p〈2014.03〉）
www.shindengen.co.jp/product/semi/