P1B52HP2 Datasheet, PDF (1/4 Pages) Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd – Power MOSFET

Nch
P1B52HP2
PowerMOSFET
■外観図 OUTLINE
Package：FB
Unit：mm
525V1A
特長
煙面実装タイプ
煙高耐圧
煙低ノイズ
煙高アバランシェ耐量、高 di/dt耐量
Feature
煙SMD
煙HighVoltage
煙LowNoise
煙HighAvalancheDurability,Highdi/dtDurability


඼໊ུ߸
5ZQF /P
P1B52H2
000000
ϩοτ؅ཧ߸هʢྫʣ
-PU $POUSPM /P


ᶃᶄᶅ
ᶆ
ᶃ(
ᶄ%
ᶅ 4
ᶆ%
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings（指定のない場合 Tc＝25℃/unlessotherwisespecified）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
GateSourceVoltage
ドレイン電流（直流）
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流（ピーク）
ContinuousDrainCurrent(Peak)
ソース電流（ピーク）
ContinuousSourceCurrent（DC）
全損失
TotalPowerDissipation
繰り返しアバランシェ電流
RepetitiveAvalancheCurrent
単発アバランシェエネルギー
SingleAvalancheEnergy
繰り返しアバランシェエネルギー
RepetitiveAvalancheEnergy
ドレイン・ソースダイオード di/dt耐量
Drain-SourceDiodedi/dtStrength
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
IS
PT
IAR StartingTch=25℃,Tch≦150℃
EAS StartingTch=25℃,Tch≦150℃
EAR StartingTch=25℃,Tch≦150℃
di/dt Is＝1A,Tc＝25℃
－55～150
150
525
±30
1
4
1
35
1
10
1
350
℃
V
A
W
A
mJ
mJ
A/μs
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics（指定のない場合 Tc＝25℃/unlessotherwisespecified）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値 Ratings _単位
MIN TYP MAX ^Unit
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
V（BR）DSS ID＝1mA,VGS＝0V
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
IDSS VDS＝525V,VGS＝0V
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
IGSS VGS＝±25V,VDS＝0V
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
gfs ID＝0.5A,VDS＝10V
R ^{ドレイン・ソース間オン抵抗}
StaticDrain-SourceOn-stateResistance （DS）ON
ID＝0.5A,VGS＝10V
ゲートしきい値電圧
GateThresholdVoltage
VTH ID＝1mA,VDS＝10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwardVoltage
VSD
IS＝0.5A,VGS＝0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc 接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg VDD＝400V,VGS＝10V,ID＝1A
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS＝50V,VGS＝0V,f＝1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
td（on）
上昇時間
Risetime
tr ID＝0.5A,RL＝300Ω,VDD＝150V,Rg＝50Ω,
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
td（off） VGS（＋）＝10V,VGS（－）＝0V
降下時間
Falltime
tf
525
─
─
0.4
─
3.00
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
1.0
6.0
3.75
─
─
4.3
125
3.5
20
9
7
28
18
─
V
100
±10 ^μA
─
S
7.2 Ω
4.50
1.5
V
3.55 ℃/W
─ nC
─
─ pF
─
─
─
ns
─
─
（MOS-p〈2014.03〉）
www.shindengen.co.jp/product/semi/