M1FE60 Datasheet, PDF (1/4 Pages) Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd – Rectifier Diode

Single
M1FE60
600V1A
特長
煙小型 SMD
煙高 ESD
煙AEC-Q１０１準拠
Feature
煙SmallSMD
煙HighESDCapability
煙BasedonAEC-Q101
RectifierDiode
■外観図 OUTLINE
Package：M1F
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Unit：mm
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外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings（指定のない場合は Tl＝25℃/unlessotherwisespecified）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
Tstg
－55～150
℃
接合部温度
OperatingJunctionTemperature
Tj
150
℃
せん頭逆電圧
Maximum ReverseVoltage
VRM
600
V
５０Hz正弦波，抵抗負荷，プリント基板実装，Ta＝25℃
50Hzsinewave,Resistanceload,Onglass-epoxysubstrate,Ta=25˚C
0.65
出力電流
AverageRectifiedForwardCurrent
Io
５０Hz正弦波，抵抗負荷，アルミナ基板実装，Ta＝25℃
50Hzsinewave,Resistanceload,Onaluminasubstrate,Ta=25˚C
５０Hz正弦波，抵抗負荷，Tl＝129℃
50Hzsinewave,Resistanceload,Tl=129˚C
1.0
A
1.0
せん頭サージ順電流
PeakSurgeForwardCurrent
IFSM
IFSM1
50Hz正弦波，非繰り返し 1サイクルせん頭値，Tj＝25℃
50Hzsinewave,Non-repetitive1cyclepeakvalue,Tj=25˚C
tp＝1ms,Tj＝25℃，非繰り返し
tp=1ms,Tj=25˚C, Non-repetitive
30
A
70
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics（指定のない場合は Tl＝25℃/unlessotherwisespecified）
順電圧
ForwardVoltage
逆電流
ReverseCurrent
静電気耐量
ElectrostaticDischargeCapability
熱抵抗
ThermalResistance
VF
IR
VESD
θjl
θja
IF＝1A,
パルス測定
Pulsemeasurement
VR＝
600V,
パルス測定
Pulsemeasurement
C=150pF，R=150Ω，極性±，気中放電
C=150pF,R=150Ω,Polarity±,Airialdischarge
接合部・リード間
Junctiontolead
接合部・周囲間， アルミナ基板実装
Junctiontoambient,Onaluminasubstrate
接合部・周囲間， プリント基板実装
Junctiontoambient,Onglass-epoxysubstrate
MAX 1.10
MAX 10
TYP 25
MAX 20
MAX 108
MAX 186
V
μA
kV
℃/W
（J534-p〈2014.02〉）
www.shindengen.co.jp/product/semi/