LN1F60 Datasheet, PDF (1/4 Pages) Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd – Rectifier Diode

Single
LN1F60
600V1.1A
特長
煙高耐圧
煙低ノイズ
Feature
煙 HighVoltage
煙 LowNoise
RectifierDiode
■外観図 OUTLINE
Package：1F
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Unit：mm
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外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings（指定のない場合は Tl＝25℃/unlessotherwisespecified）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
Tstg
－55～150
℃
接合部温度
OperatingJunctionTemperature
Tj
150
℃
せん頭逆電圧
Maximum ReverseVoltage
VRM
600
V
出力電流
AverageRectifiedForwardCurrent
アルミナ基板実装
Io
50Hz正弦波，抵抗負荷，Ta＝25℃
Onaluminasubstrate
50Hzsinewave,Resistanceload,Ta=25˚C _{プリント基板実è£}
Onglass-epoxysubstrate
1.1
0.8
A
せん頭サージ順電流
PeakSurgeForwardCurrent
IFSM
IFSM1
50Hz正弦波，非繰り返し 1サイクルせん頭値，Tj＝25℃
50Hzsinewave,Non-repetitive1cyclepeakvalue,Tj=25˚C
tp＝1ms,Tj＝25℃，非繰り返し
tp=1ms,Tj=25˚C, Non-repetitive
25
A
80
●電気的・熱的特性
順電圧
ForwardVoltage
逆電流
ReverseCurrent
逆回復時間
ReverseRecoveryTime
熱抵抗
ThermalResistance
ElectricalCharacteristics（指定のない場合は Tl＝25℃/unlessotherwisespecified）
VF
IF＝0.8A,
パルス測定
Pulsemeasurement
IR
VR＝600V,
パルス測定
Pulsemeasurement
MAX 1.05
MAX 10
V
μA
trr IF＝0.1A,IR＝0.1A
MAX 3.5
μs
θjl
θja
接合部・リード間
Junctiontolead
接合部・周囲間， アルミナ基板実装
Junctiontoambient,Onaluminasubstrate
接合部・周囲間， プリント基板実装
Junctiontoambient,Onglass-epoxysubstrate
MAX 23
MAX 108
MAX 157
℃/W
（J534-p〈2012.06〉）
www.shindengen.co.jp/product/semi/