F6B52HP Datasheet, PDF (1/2 Pages) Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd – Power MOSFET

F6B52HP
525V6A
特長
煙低オン抵抗
煙面実装タイプ
Feature
煙 LowRON
煙 SMDPackage
PowerMOSFET
■外観図 OUTLINE
Package：FB

඼໊ུ߸
5ZQF /P
ϩοτ߸هʢྫʣ
%BUF DPEF
ᶆ
F6B52H
000A00
ᶄ
ᶃ
ᶅ
Unit：mm

外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については捺
印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,referto ourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings（指定のない場合 Tc＝25℃/Unlessotherwisespecified）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ドレイン電流（直流）
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流（ピーク）
ContinuousDrainCurrent(Peak)
ソース電流（直流）
ContinuousSourceCurrent(DC)
全損失
TotalPowerDissipation
繰り返しアバランシェ電流
RepetitiveAvalancheCurrent
単発アバランシェエネルギー
SingleAvalancheEnergy
繰り返しアバランシェエネルギー
RepetitiveAvalancheEnergy
ドレインソース間ダイオード
Drain-SourceDiode
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
IS
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
PT
IAR Tch＝150℃
EAS
EAR
Tc=Tchからのスターティング温度 Tch=25℃
StartingtemperatureTch=Tc,Tch=25˚C
Tc=Tchからのスターティング温度 Tch=25℃
StartingtemperatureTch=Tc,Tch=25˚C
di/dt IS＝ 6A,Tc＝25℃
－55～150
150
525
±30
6
24
6
15
6
50
5
350
℃
V
A
W
A
mJ
A/μs
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics（指定のない場合 Tc＝ 25℃/Unlessotherwisespecified）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
V（BR）DSS ID＝1mA,VGS＝0V
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
IDSS VDS＝ 525V,VGS＝0V
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
IGSS VGS＝ ±25V,VDS＝0V
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
gfs ID＝ 3A,VDS＝10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
StaticDrain-SourceOn-stateResistance
R（DS）ON
ID＝ 3A,VGS＝10V
ゲートしきい値電圧
GateThressholdVoltage
VTH ID＝1mA,VDS＝10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwadeVoltage
VSD
IS＝3A,VGS＝0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc
接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg VDD＝400V,VGS＝10V,ID＝6A
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS＝ 35V,VGS＝0V,f＝1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
上昇時間
Risetime
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
下降時間
Falltime
td（on）
tr ^{ID＝3A,RL＝50Ω,}
VDD＝150V,
td（off） _{VGS（＋）＝ 10V,VGS（－）＝ 0V}
tf
525 ─ ─
V
─ ─ 100
μA
─ ─ ±10
2 6─
S
─ 1.0 1.2 Ω
3.0 3.75 4.5
V
─ ─ 1.5
─ ─ 8.33 ℃/W
─ 10 ─ nC
─ 580 ─
─
4 ─ pF
─ 65 ─
─ 15 ─
─ 10 ─
ns
─ 40 ─
─ 15 ─
（MOSFET〈2010.07〉）
www.shindengen.co.jp/product/semi/