F24W60C3 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd – Power MOSFET

PowerMOSFET
F24W60C3
600V24A
特長
煙低オン抵抗
煙高速スイッチング
Feature
煙 LowRON
煙 FastSwitching
■外観図 OUTLINE
Package：MTO-3P
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24W60C3

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Unit：mm
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外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については捺
印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,referto ourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings（指定のない場合 Tc＝25℃）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ドレイン電流（直流）
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流（ピーク）
ContinuousDrainCurrent(Peak)
ソース電流（直流）
ContinuousSourceCurrent(DC)
全損失
TotalPowerDissipation
締め付けトルク
MountingTorque
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
IS
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
PT
TOR
（推奨値：0.5N・m）
(Recommendedtorque:0.5N・m)
規格値
Ratings
－55～150
150
600
±30
24
72
24
90
0.8
単位
Unit
℃
V
A
W
N・m
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics（指定のない場合 Tc＝ 25℃）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
V（BR）DSS ID＝1mA,VGS＝0V
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
IDSS VDS＝600V,VGS＝0V
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
IGSS VGS＝ ±30V,VDS＝0V
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
gfs ID＝ 12A,VDS＝10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
StaticDrain-SourceOn-stateResistance
R（DS）ON
ID＝ 12A,VGS＝10V
ゲートしきい値電圧
GateThressholdVoltage
VTH ID＝ 1mA,VDS＝10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwadeVoltage
VSD
IS＝ 12A,VGS＝0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc
接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg VGS＝10V,ID＝ 24A,VDD＝400V
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS＝ 25V,VGS＝0V,f＝1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
td（on）
上昇時間
Risetime
tr _{ID＝ 12A,VDD＝150V,RL＝ 12.5Ω}
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
td（off） ^VGS（＋）^{＝ 10V,V}GS（－）^{＝ 0V}
下降時間
Falltime
tf
規格値 Ratings _単位
MIN TYP MAX ^Unit
600
─
─
10.7
─
2.1
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
──
V
─ 25
μA
─ ±0.1
21.5 ─
S
0.14 0.16 Ω
3.0 3.9
V
─ 1.5
─ 1.39 ℃/W
105 ─ nC
3000 ─
60 ─ pF
1000 ─
35 ─
60 ─
ns
415 ─
65 ─
※ケース温度によりジャンクション温度を算出する場合の熱抵抗値は、0.52〔℃/W〕を御使用下さい。但し、上記印加電流、電圧は安全動作領域内での御使用を前提とします。
TheJunctionTemperatureiscalculatedfrom thecasetemperature,thermalresistancevalueuses0.52℃/W.UseintheSafeOperatingAreaforinputcurrentandvoltage.
（MOSFET〈2010.06〉）
www.shindengen.co.jp/product/semi/