F16F60CPM Datasheet, PDF (1/4 Pages) Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd – Power MOSFET

F16F60CPM
600V16A
特長
煙高耐圧
煙低オン抵抗
煙高速スイッチング
Feature
煙 HighVoltage
煙 LowRON
煙 FastSwitching
PowerMOSFET
■外観図 OUTLINE
Package：FTO-220A（3pin）
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16F60CPM


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Unit：mm

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外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings（指定のない場合 Tc＝25℃/unlessotherwisespecified）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
GateSourceVoltage
ドレイン電流（直流）
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流（ピーク）
ContinuousDrainCurrent(Peak)
ソース電流（直流）
ContinuousSourceCurrent（DC）
全損失
TotalPowerDissipation
絶縁耐圧
DielectricStrength
締め付けトルク
MountingTorque
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
IS
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
PT
Vdis
一括端子・ケース間，AC1分間印加
Terminalstocase,AC1minute
TOR
（推奨値：0.3N・m）
(Recommendedtorque:0.3N・m)
－55～150
150
600
±30
16
48
16
55
2
0.5
℃
V
A
W
kV
N・m
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics（指定のない場合 Tc＝25℃/unlessotherwisespecified）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値 Ratings _単位
MIN TYP MAX ^Unit
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
V（BR）DSS ID＝1mA,VGS＝0V
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
IDSS VDS＝600V,VGS＝0V
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
IGSS VGS＝±30V,VDS＝0V
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
gfs ID＝8A,VDS＝10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
StaticDrain-SourceOn-stateResistance
R（DS）ON
ID＝8A,VGS＝10V
ゲートしきい値電圧
GateThresholdVoltage
VTH ID＝1mA,VDS＝10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwardVoltage
VSD
IS＝8A,VGS＝0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc 接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg VDD＝400V,VGS＝10V,ID＝16A
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS＝100V,VGS＝0V,f＝1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
td（on）
上昇時間
Risetime
tr _{ID＝8A,RL＝18.75Ω,VDD＝150V,Rg＝50Ω,}
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
td（off） ^VGS（＋）^＝10V,VGS（－）^＝0V
降下時間
Falltime
tf
600 ─ ─
V
─ ─ 10
μA
─ ─ ±0.1
7 14 ─
S
─ 0.180 0.199 Ω
2.5 3.0 3.5
V
─ ─ 1.5
─ ─ 2.27 ℃/W
─ 33 ─ nC
─ 1520 ─
─ 2.5 ─ pF
─ 72 ─
─ 30 ─
─ 45 ─
ns
─ 125 ─
─ 40 ─
（MOS-p〈2012.06〉）（2014.04）
www.shindengen.co.jp/product/semi/