D1FK100 Datasheet, PDF (1/4 Pages) Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd – Fast Recovery Diode

Single
FastRecoveryDiode
D1FK100
■外観図 OUTLINE
Package：1F
1000V1A
特長
煙小型 SMD
煙高耐圧
煙低ノイズ
Feature
煙 SmallSMD
煙 HighVoltage
煙 LowNoise
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Unit：mm
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外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings（指定のない場合は Tl＝25℃/unlessotherwisespecified）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
Tstg
－55～150
℃
接合部温度
OperatingJunctionTemperature
Tj
150
℃
せん頭逆電圧
Maximum ReverseVoltage
VRM
1000
V
Ta＝
25℃
アルミナ基板実装
Onaluminasubstrate
0.62
出力電流
AverageRectifiedForwardCurrent
Io
50Hz正弦波，抵抗負荷
50Hzsinewave,Resistanceload
Ta＝
25℃
プリント基板実装
Onglass-epoxysubstrate
0.47
A
Tl＝97℃
1.0
せん頭サージ順電流
PeakSurgeForwardCurrent
IFSM
IFSM1
50Hz正弦波，非繰り返し 1サイクルせん頭値，Tj＝25℃
50Hzsinewave,Non-repetitive1cyclepeakvalue,Tj=25˚C
tp＝1ms正弦波 ,非繰り返し 1サイクルせん頭値，Tj＝25℃
tp=1msSinewave,Non-repetitive1cyclepeakvalue,Tj=25˚C
20
A
55
A
●電気的・熱的特性
順電圧
ForwardVoltage
逆電流
ReverseCurrent
逆回復時間
ReverseRecoveryTime
接合容量
JunctionCapacitance
熱抵抗
ThermalResistance
ElectricalCharacteristics（指定のない場合は
VF
IF＝ 1A,
パルス測定
Pulsemeasurement
IR
VR＝ 1000V,^パ _Pu^ル_lse^ス_m^測_e^定_asurement
Tl＝25℃/unlessotherwisespecified）
MAX 2.1
V
MAX 10
μA
trr IF＝0.5A,IR＝1.0A,0.25IR
MAX 75
ns
Cj
θjl
θja
f＝1MHz,VR＝10V
接合部・リード間
Junctiontolead
接合部・周囲間， アルミナ基板実装
Junctiontoambient,Onaluminasubstrate
接合部・周囲間， プリント基板実装
Junctiontoambient,Onglass-epoxysubstrate
TYP 7.5
MAX 23
MAX 108
MAX 157
pF
℃/W
（J532-p〈2013.04〉）
www.shindengen.co.jp/product/semi/