SCH2830 Datasheet, PDF (4/6 Pages) Sanyo Semicon Device – MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device

SCH2830
yfs -- ID
[MOSFET]
3
VDS= --10V
2
25^°C
1.0
7
5
Ta=
--25^°C
75^°C
3
2
0.1
--0.01
23
3
2
VDD= --10V
VGS= --4V
100
7
5
5 7 _--0.1
23
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
5 7 _--1.0
IT03505
[MOSFET]
3
2
td(off)
10
7
5
tf
3
2
td(on)
tr
1.0
--0.1
2
--4.0
VDS= --10V
--3.5 ^{ID= --1A}
3
5
7 _--1.0
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
2
3
IT03507
[MOSFET]
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
0
0.8
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT03509
PD -- Ta
[MOSFET]
IS -- VSD
[MOSFET]
--10
7
VGS=0V
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
--0.4
3
2
--0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0 --1.1 --1.2
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT03506
Ciss, Coss, Crss -- VDS [MOSFET]
f=1MHz
Ciss
100
7
5
3
Coss
2
Crss
10
0 --2 --4 --6 --8 --10 --12 --14 --16 --18 --20
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT03508
ASO
[MOSFET]
--10
7
5 ^{IDP= --4A}
PW≤10µs
3
2
ID= --1A
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
Operation
in
this
DC
100ms10ms
100_µs
1ms
operation _(Ta=25°C)
area is limited by RDS(on).
3
2
--0.01
--0.01
Ta=25°C
Single pulse
Mounted on a ceramic board (900mm²âœ•0.8mm) 1unit
2 3 5 7--0.1 2 3 5 7--1.0 2 3 5 7 _--10 2 3
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT12618
0.6
0.4
0.2
Mounted _{on a ceramic board (900mm 2✕0.8mm) 1unit}
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT12619
No. A0861-4/6