CPH5857 Datasheet, PDF (4/6 Pages) Sanyo Semicon Device – MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device

CPH5857
10
yfs -- ID
[MOSFET]
7
VDS= --10V
5
3
25^°C
2
1.0
7
Ta=
--25^°C
75^°C
5
3
2
0.1
--0.01 ^{2 3 5 7} --0.1 ^{2 3 5 7} --1.0 ^{2 3 5}
Drain Current, ID -- A
IT02735
SW Time -- ID
100
VDD= --10V
[MOSFET]
7 VGS= --4V
5
td(off)
3
tf
2
t r _td(on)
10
7
5
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
0
1000
7
5
3
2
IS -- VSD
[MOSFET]
VGS=0V
--0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4
Diode Forward Voltage, VSD -- V
IT02736
Ciss, Coss, Crss -- VDS [MOSFET]
f=1MHz
Ciss
100
7
5
Coss
3
Crss
2
3
3 5 7 _--0.1
2 3 5 7 _--1.0
--4
VDS= --10V
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
ID= --1.5A
23 5
IT02737
[MOSFET]
--3
--2
--1
0
0
1
2
3
3.5
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT02739
PD -- Ta
[MOSFET]
1.2
10
0
--5
--10
--15
--20
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT02738
ASO
[MOSFET]
--10
7 ^{IDP= --6.0A}
≤10µs
5
3
100_µs
2 ID= --1.5A
--1.0
7
5
3
2
--0.1
Operation in this
DC _{opera1ti0o0nm(Tsa=251°}^0Cm)s
7
5
area is limited by RDS(on).
3 _Ta=25°C
2 _{Single pulse}
--0.01 ^{Mounted on a ceramic board(900mm2✕0.8mm)1unit}
--0.01 ^{2 3 5 7} --0.1 ^{2 3 5 7} --1.0 ^{2 3 5 7} --10 ^{2 3}
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT11563
1.0
0.9
0.8
0.6
0.4
0.2
Mounted _{on a ceramic board(900mm 2✕0.8mm)1unit}
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT11564
No. A0547-4/6