VEC2610 Datasheet, PDF (3/6 Pages) Sanyo Semicon Device – N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device

Switching Time Test Circuit
[N-channel]
VIN
4V
0V
VIN
PW=10µs
D.C.≤1%
G
VDD=10V
ID=2.5A
RL=4Ω
D
VOUT
VEC2610
P.G
50Ω
S
VEC2610
[P-channel]
VIN
0V
--4.5V
VIN
PW=10µs
D.C.≤1%
G
VDD= --10V
ID= --1.5A
RL=6.67Ω
D
VOUT
VEC2610
P.G
50Ω
S
ID -- VDS
[Nch]
4.5
4.0
3.5
3.0
VGS=1.5V
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT10209
ID -- VGS
[Nch]
9
VDS=10V
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT10210
RDS(on) -- VGS
[Nch]
100
Ta=25°C
90
ID=2A
80
0.3A ^1A
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT10211
ID -- VDS
[Pch]
--4.0
--2.0V
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
VGS= --1.5V
--1.0
--0.5
0
0 --0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
ID -- VGS
--7
VDS= --10V
--0.9 --1.0
IT06416
[Pch]
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0 --0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 --1.6 --1.8 --2.0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT06417
RDS(on) -- VGS
[Pch]
160
Ta=25°C
140
120
100 ^{ID= --1A}
--2A
80
60
40
20
0
0 --1 --2 --3 --4 --5 --6 --7 --8 --9 --10
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT06418
No. A0104-3/6