TF218THC Datasheet, PDF (3/5 Pages) Sanyo Semicon Device – N-channel Silicon Junction FET Electret Condenser Microphone Applications

TF218THC
ID -- VGS
500
VDS=5V
450
400
350
300
250
200
150
100
I DSS=325500^µµ_1A5A0µA
50
0
--0.7 --0.6 --0.5 --0.4 --0.3 --0.2 --0.1
0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
yfs -- IDSS
1.3
VDS=5V
1.2 ^VGS=0V
f=1kHz
IT02312
1.1
ID -- VGS
400
VDS=5V
360
320
280
240
200
160
120
80
40
0
--1.0 --0.9 --0.8 --0.7 --0.6 --0.5 --0.4 --0.3 --0.2 --0.1 --0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT02313
VGS(off) -- IDSS
-0.70
VDS=5V
-0.65
ID=1µA
-0.60
1.0
-0.55
0.9
-0.50
0.8
-0.45
0.7
-0.40
0.6
0.5
0
100
10
100
200
300
400
Drain Current, IDSS -- µA
THD -- VIN
500
IT02314
THD : VCC=4.5V
f=1kHz
IDSS : VDS=5.0V
IDSS=150^µA
250^µA
350^µA
-0.35
-0.30
0
120
100
80
60
100
200
300
400
Drain Current, IDSS -- µA
PD -- Ta
500
IT02315
1.0
40
0.1
0
50
100
150
200
Input Voltage, VIN -- mV
IT02316
2
Ciss -- VDS
VGS=0V
f=1MHz
10
7
5
3
2
1.0
7 _1.0
2
3
5 7 ₁₀
2
3
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT03814
20
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT02317
5
Crss -- VDS
VGS=0V
f=1MHz
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7 _1.0
2
3
5 7 ₁₀
2
3
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT03815
No. A0890-3/5