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MCH6325 Datasheet, PDF (3/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
MCH6325
RDS(on) -- VGS
500
Ta=25°C
450
400
350
300
--1.0A
250 ID= --0.5A
200
150
100
50
0
0
--2
--4
--6
--8 --10 --12
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
⏐yfs⏐ -- ID
10
7 VDS= --10V
5
--14 --16
IT13037
3
2
Ta= --25°C 75°C
1.0
25°C
7
5
3
2
0.1
--0.01 2 3
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
td(off)
tf
td(on)
tr
1.0
--0.01 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0
--10
VDS= --30V
--9 ID= --2A
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
--8
2 3 5 7 --10
IT13039
VDD= --30V
VGS= --10V
2 3 5 7 --10
IT13041
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT13043
RDS(on) -- Ta
500
450
400
350
300
250
200
V GVS=G-S-4=V--,1I0DV=,-I-0D.=5A--1.0A
150
100
50
0
--60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT13038
IS -- VSD
--10
7
VGS=0V
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
--0.2
1000
7
5
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT13040
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
Ciss
3
2
100
7
5
Coss
Crss
3
2
10
0
--10
--20
--30
--40
--50
--60
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT13042
ASO
2
--10 IDP= --8A
7
5
3 ID= --2A
2
PW≤10µs
100µs
--1.0
7
5
100ms
3
2
--0.1
Operation in this
7
area is limited by RDS(on).
5
3 Ta=25°C
2 Single pulse
--0.01 Mounted on a ceramic board (900mm2✕0.8mm)
--0.01 2 3 5 7--0.1 2 3 5 7--1.0 2 3 5 7--10 2 3
5 7--100
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT13044
No. A0969-3/4