CPH6340 Datasheet, PDF (3/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

CPH6340
RDS(on) -- VGS
200
180
ID= --1A
Ta=25°C
160
--2A
140
120
100
80
60
40
20
0
--2 --3 --4 --5 --6 --7 --8 --9 --10 --11 --12 --13 --14 --15 --16
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT13643
⏐yfs⏐ -- ID
2
VDS= --10V
10
7
5
25^°C
3
2
1.0
Ta=
--25^°C
75^°C
7
5
3
2
0.1
--0.01 ^{2 3}
3
2
5 7 _--0.1 2 3 5 7 _--1.0
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
2 3 5 7 _--10
IT13645
VDD= --24V
VGS= --10V
td(off)
100
7
5
tf
3
2
tr
td(on)
10
7
5
--0.1
23
--10
VDS= --24V
--9 _{ID= --4A}
--8
5 7 _--1.0
23
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
5 7 _--10
IT13647
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT13648
RDS(on) -- Ta
180
160
140
120
100
80
60
VVGGVS=SG=--S-4-=V4.,-5-I1VD0,=VI _{,D--I=1DA-=-1-A-2A}
40
20
0
--60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT13644
IS -- VSD
--10
7
VGS=0V
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
7
5
3
2
--0.001
--0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0 --1.1 --1.2
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT13646
Ciss, Coss, Crss -- VDS
3
f=1MHz
2
1000
7
5
Ciss
3
2
Coss
100
Crss
7
5
3
0 --5 --10 --15 --20 --25 --30 --35 --40 --45
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT12110
ASO
3
2 ^{IDP= --16A}
PW≤10μs
--10
7
5
ID= --4A
3
2
--1.0
7
5
10ms
DC
100ms
operation
100_μs
1ms
3
Operation in this
2
area is limited by RDS(on).
--0.1
7
5 _Ta=25°C
3 Single pulse
2 When mounted on ceramic substrate
--0.01 ^{(900mm2✕0.8mm)}
--0.01 ^{2 3 5 7--0.1 2 3 5 7--1.0 2 3 5 7--10}
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
2 3 57
IT13649
No. A1200-3/4