CPH6337 Datasheet, PDF (3/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

RDS(on) -- VGS
300
250
--0.8A
200
--1.5A
150 _{ID= --0.3A}
100
50
CPH6337
200
Ta=25°C
150
100
50
RDS(on) -- Ta
VGS= ^{--1.8V, ID= --0.3A}
VGS=
VGS=
--2.5V,
--4.5V,
ID= ^--0.8A
ID= ^--1.5A
0
0
--2
--4
--6
--8
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT12600
yfs -- ID
10
7
VDS= --6V
5
3
2
Ta=
--25^°C
75^°C
1.0
25^°C
7
5
3
2
0.1
--0.01 ^{2 3 5 7} --0.1 ^{2 3 5 7} --1.0
7
5 ^{VDD= --6V}
VGS= --4.5V
3
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
2
2 3 57
IT12602
100
7
td(off)
5
3
tf
2
10
tr
td(on)
7
5
3
2
--0.01 ^{2 3}
5 7 _--0.1
23
5 7 _--1.0
--4.5
VDS= --6V
--4.0 ^{ID= --3.5A}
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
2 3 57
IT12604
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
0
1
2
3
4
5
6
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT12866
0
--60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120
Ambient Temperature, Ta -- °C
--10
7
5
VGS=0V
IS -- VSD
3
2
140 160
IT12601
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
7
5
3
2
0
1000
7
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT12603
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
5
Ciss
3
2
Coss
Crss
100
7
5
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT12605
ASO
3
2 _{IDP= --14A}
PW≤10µs
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
ID= --3.5A
Operation
in
DC
this
aopreeraatio1n0(T0am1=0s2m51^{°sCm1)s00µs}
--0.1
is limited by RDS(on).
7
5
3 ^Ta=25°C
2 ^{Single pulse}
--0.01 ^{Mounted on a ceramic board (1200mm2✕0.8mm)}
--0.01 ^{2 3 5 7} --0.1 ^{2 3 5 7} --1.0 ^{2 3 5 7} --10 ^{2 3}
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT12871
No. A0923-3/4