CPH6332 Datasheet, PDF (3/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device

CPH6332
RDS(on) -- VGS
140
120
100
80
--1.5A
--3.0A
60
ID= --0.6A
40
20
Ta=25°C
RDS(on) -- Ta
100
80
60
40
VVGSG=S=--1--.82V.5,VI,DI=D=--0--.61A.5A
VGS= ^{--4.0V, ID= --3.0A}
20
0
0
--2
--4
--6
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
yfs -- ID
3
2 ^{VDS= --10V}
--8
IT12170
10
7
5
3
2
25^°C
Ta=
--25^°C
75^°C
1.0
7
5
3
2
0.1
7
--0.01 ^{2 3 5 7} --0.1 ^{2 3 5 7} --1.0 ^{2 3 5 7} --10
Drain Current, ID -- A
IT12172
SW Time -- ID
5
VDD= --10V
3
VGS= --4V
2
td(off)
100
tf
7
5
tr
0
--60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120
Ambient Temperature, Ta -- °C
--10
7 ^VGS=0V
5
IS -- VSD
140 160
IT12171
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
--0.2
5
--0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT12173
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
3
2
Ciss
1000
7
5
3
2
td(on)
10
--0.1
23
--4.0
VDS= --10V
--3.5 ^{ID= --6A}
5 7 _--1.0
23
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
5 7 _--10
IT12174
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT12176
3
Coss
2
Crss
100
0
--2 --4 --6 --8 --10 --12 --14 --16 --18 --20
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT12175
ASO
5
3 ^{IDP= --24A}
PW≤10µs
2
--10
7
ID= --6A
5
10ms
100_µs
1ms
3
2
--1.0
7
5
3
Operation in this
DC _{operation1(0T0am=2s5°C)}
2
area is limited by RDS(on).
--0.1
7
5
3 ^Ta=25°C
2 Single pulse
--0.01 ^{Mounted on a ceramic board (900mm2✕0.8mm)}
--0.01 ^{2 3 5 7--0.1 2 3 5 7--1.0 2 3 5 7} --10 ^{2 3}
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT12177
No. A0726-3/4